650um grueso substrato del semiconductor del INP del solo cristal de 4 pulgadas

TIPO substrato S+/dopado obleas Zn+ /Fe de las obleas 3inch 4inch N/P del INP 2inch del semiconductor del INP +

el crecimiento (método modificado de VFG) se utiliza para tirar de un solo cristal a través de un líquido bórico del óxido encapsulant a partir de una semilla.

El dopante (FE, S, Sn o Zn) se añade al crisol junto con el polycrystal. La alta presión se aplica dentro de la cámara para prevenir la descomposición de la compañía del indio Phosphide.he ha desarrollado un proceso para rendir pureza completamente stoechiometric, elevada y cristal bajo del INP de la densidad de dislocación el solo.

La técnica de VFG mejora sobre los gracias del método de LEC a una tecnología termal del bafle con respecto a un numérico

modelado de las condiciones termales del crecimiento. el tCZ es una tecnología madura rentable con la reproductibilidad de alta calidad del boule al boule.

Usos:
IIt tiene las ventajas de la alta velocidad electrónica de la deriva del límite, de la buena resistencia de radiación y de la buena conducción de calor. Conveniente para los dispositivos de la fabricación de la microonda y los circuitos integrados de alta frecuencia, de alta velocidad, de alta potencia.

Características:
1. El cristal es crecido por la tecnología líquido-sellada del recto-dibujo (LEC), con tecnología madura y funcionamiento eléctrico estable.
2, usando el instrumento direccional de la radiografía para la orientación exacta, la desviación de la orientación cristalina es solamente ±0.5°
3, la oblea es pulido por (CMP) la tecnología de pulido mecánica química, aspereza superficial <0> 4, para alcanzar los requisitos listos para utilizar de la “caja abierta”
5, según exigencias del consumidor, proceso especial del producto de las especificaciones