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El substrato GA del semiconductor de las obleas del diámetro 50.8m m GE dopó el tipo 500um del substrato N

El substrato GA del semiconductor de las obleas del diámetro 50.8m m GE dopó el tipo 500um del substrato N
  • El substrato GA del semiconductor de las obleas del diámetro 50.8m m GE dopó el tipo 500um del substrato N
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Productos detallados
2INCH dia50.8mm GA dopó el N-tipo obleas del substrato 4inch de GE de 500um GE Oblea de GE para el uso microelectrónico El tipo de N, Sb dopó la oblea ...
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