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El substrato GA del semiconductor de las obleas del diámetro 50.8m m GE dopó el tipo 500um del substrato N

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El substrato GA del semiconductor de las obleas del diámetro 50.8m m GE dopó el tipo 500um del substrato N

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Number modelo :4Inch
Lugar del origen :CHINA
Cantidad de orden mínima :5pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union
Capacidad de la fuente :1000PCS/Month
Plazo de expedición :2-4weeks
Detalles de empaquetado :solo envase de la oblea o caja customzied del envase bajo sitio de limpieza
Material :Sola GE ventana cristalina de GE
Uso :Elementos infrarrojos de la óptica
Tipo :n-TIPO sin impurificar de Ga-doped/
Resistividad :1-100ohm
Orientación :<100>
Tamaño :2inch/3inch/4inch
Superficie :lado doble pulido
OEM :AUTORIZACIÓN
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2INCH dia50.8mm GA dopó el N-tipo obleas del substrato 4inch de GE de 500um GE

 

Oblea de GE para el uso microelectrónico

El tipo de N, Sb dopó la oblea de GE
Tipo de N, oblea sin impurificar de GE
El tipo de P, GA dopó la oblea de GE
Tamaño disponible: 2" - 6"
Orientación disponible: (100), (111), o espec. de encargo.
Grado disponible: Grado del IR, grado electrónico y grado de la célula
Resistencia:
N - tipo: 0.007-30 ohmio-cm
P - tipo: 0.001-30 ohmio-cm
Sin impurificar: >=30 ohmio-cm
Superficie: el como-corte, solo lado pulido, lado doble pulió
 
Oblea de GE para el grado óptico:
SL.No Especificaciones materiales:  
1 Forma cristalina: Policristalino
2 Tipo de la conductividad: n-tipo
3 Coeficiente de absorción, en 25°C 0.035cm-1 @10.6µm máximo
4 Resistencia típica: 3-40 ohmio-cm
5 Densidad: 5,3 g/cc
6 Dureza de Mohs: 6,3
7 Contenido en oxígeno: < 0="">
8 Agujeros e inclusiones: <0>
9 Ratio de Poisson: 0,278
10 Módulo de los jóvenes (e): 100 Gpa
     
SL.No Propiedades ópticas:  
1 dn/dt a partir de la 250-350 K: 4 X 10-4 K-1
2 Transmisión en la longitud de onda del µm de 25°C @10.6  
  para la muestra sin recubrimiento del grueso 10m m: Máximo el 47% o más
3 Μm 10,8 del índice de refracción @: 4.00372471±0.0005
     
SL.No
Propiedades termales  
1 Punto de fusión (k): 1210,4
2 Capacidad de calor @ 300K (J/kg.K): 322
3 Conductividad termal @293 K: 59 Wm-1 K-1
4 Extensión termal del coeficiente @ (20°C) (10-6 K): 5,8

ventanas solo Crystal Germanium Ge Wafer de dia25.4mm GE para el dispositivo de semiconductor

 

Descripción de la compañía

ZMKJ es un proveedor mundial de la sola lente cristalina del germanio y solo lingote cristalino de GE, tenemos una ventaja fuerte en el abastecimiento de la sola oblea cristalina a la industria de la microelectrónica y de la optoelectrónica en gama del diámetro a partir de 2 pulgadas a 6inch.

La oblea de GE es una elemental y el material popular del semiconductor, debido a sus propiedades cristalográficas excelentes y a las propiedades eléctricas únicas, oblea de GE widly se utiliza en sensor, célula solar y los usos infrarrojos de la óptica.

Podemos proporcionar las obleas listas bajas de GE de la dislocación y del epi para cumplir su requisito único. La oblea de GE se produce según el semiconductor, con un sistema del buen control de calidad, ZMKJ se dedica a proporcionar productos limpios y de alta calidad de la oblea de GE.

podemos grado de la electrónica de las ofertas y la oblea de GE del grado del IR, nos entra en contacto con por favor para más información de producto de GE.

 

En el rango del μm 2-12, el germanio es el material más de uso general para la producción de lentes esféricas y de ventanas para el infrarrojo de la eficacia alta en sistema de la proyección de imagen. El germanio tiene un alto índice de refracción (cerca de banda de 4,0 a de los 2-14μm), no necesita generalmente ser modificado debido a su aberración cromática baja en sistemas de la proyección de imagen de la energía baja.

Solo Crystal Germanium Wafer Capability

podemos ofrecer el grado de la electrónica y la oblea de GE del grado del IR y el lingote de GE, nos entran en contacto con por favor para más información de producto de GE.
 
Conductividad Dopante Resistencia
(ohmio-cm)
Tamaño de la oblea
NA Sin impurificar >= 30 Hasta 4 pulgadas
Tipo de N Sb 0,001 ~ 30 Hasta 4 pulgadas
Tipo de P GA 0,001 ~ 30 Hasta 4 pulgadas

El substrato GA del semiconductor de las obleas del diámetro 50.8m m GE dopó el tipo 500um del substrato N

El substrato GA del semiconductor de las obleas del diámetro 50.8m m GE dopó el tipo 500um del substrato N

El substrato GA del semiconductor de las obleas del diámetro 50.8m m GE dopó el tipo 500um del substrato NEl substrato GA del semiconductor de las obleas del diámetro 50.8m m GE dopó el tipo 500um del substrato N

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El substrato GA del semiconductor de las obleas del diámetro 50.8m m GE dopó el tipo 500um del substrato N

FAQ
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿Está libremente o cargó?
· Quisiéramos suministrar muestras gratis si lo tenemos en existencia, pero no pagamos la carga.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
· En relación con inventario, es 3 días laborables;
· Para modificado para requisitos particulares, es cerca de 15-25 días laborables, dependió fecha exacta de la cantidad y de la orden.
Q: ¿Es posible modificar la lente para requisitos particulares especial?
· Sí, modificar el elemento y la capa para requisitos particulares ópticos especiales esté disponible aquí.
Q: ¿Cómo pagar?
· T/T, pago en línea de la garantía de Alibaba, MoneyGram, unión del oeste, Paypal y así sucesivamente.
Q: ¿Cómo asegurar la seguridad del pago?
· ZMKJ es un proveedor confiable, la reputación y la calidad es vida de nuestra compañía, y apoyamos garantía del comercio de Alibaba.
Q: ¿Cómo usted envía mercancías?
· Muestra del escaso valor: EUB, E expresan del China Post, que es barato;
· Paquete ligero: DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF expreso, China Post;
· Cargo pesado: por el aire o por el mar, nave en la plataforma.
Nuestra compañía disfruta de un considerable descuento debido a la cooperación a largo plazo con la compañía de mensajero.
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