
Add to Cart
2INCH dia50.8mm GA dopó el N-tipo obleas del substrato 4inch de GE de 500um GE
Oblea de GE para el uso microelectrónico
El tipo de N, Sb dopó la oblea de GE
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Tipo de N, oblea sin impurificar de GE
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
El tipo de P, GA dopó la oblea de GE
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Tamaño disponible: 2" - 6"
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Orientación disponible: (100), (111), o espec. de encargo.
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Grado disponible: Grado del IR, grado electrónico y grado de la célula
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Resistencia:
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
N - tipo: 0.007-30 ohmio-cm
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
P - tipo: 0.001-30 ohmio-cm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Sin impurificar: >=30 ohmio-cm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Superficie: el como-corte, solo lado pulido, lado doble pulió
Oblea de GE para el grado óptico:
|
ventanas solo Crystal Germanium Ge Wafer de dia25.4mm GE para el dispositivo de semiconductor
ZMKJ es un proveedor mundial de la sola lente cristalina del germanio y solo lingote cristalino de GE, tenemos una ventaja fuerte en el abastecimiento de la sola oblea cristalina a la industria de la microelectrónica y de la optoelectrónica en gama del diámetro a partir de 2 pulgadas a 6inch.
La oblea de GE es una elemental y el material popular del semiconductor, debido a sus propiedades cristalográficas excelentes y a las propiedades eléctricas únicas, oblea de GE widly se utiliza en sensor, célula solar y los usos infrarrojos de la óptica.
Podemos proporcionar las obleas listas bajas de GE de la dislocación y del epi para cumplir su requisito único. La oblea de GE se produce según el semiconductor, con un sistema del buen control de calidad, ZMKJ se dedica a proporcionar productos limpios y de alta calidad de la oblea de GE.
podemos grado de la electrónica de las ofertas y la oblea de GE del grado del IR, nos entra en contacto con por favor para más información de producto de GE.
En el rango del μm 2-12, el germanio es el material más de uso general para la producción de lentes esféricas y de ventanas para el infrarrojo de la eficacia alta en sistema de la proyección de imagen. El germanio tiene un alto índice de refracción (cerca de banda de 4,0 a de los 2-14μm), no necesita generalmente ser modificado debido a su aberración cromática baja en sistemas de la proyección de imagen de la energía baja.
Conductividad | Dopante | Resistencia (ohmio-cm) |
Tamaño de la oblea |
---|---|---|---|
NA | Sin impurificar | >= 30 | Hasta 4 pulgadas |
Tipo de N | Sb | 0,001 ~ 30 | Hasta 4 pulgadas |
Tipo de P | GA | 0,001 ~ 30 | Hasta 4 pulgadas |