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2SC5200-O(Q) Transistor bipolar (BJT) NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero
| Toshiba | |
| Categoría de producto: | Transistores bipolares - BJT |
| La norma RoHS: | Detalles |
| A través del agujero | |
| En el caso de los equipos de seguridad de los Estados miembros: | |
| NPN (número de origen) | |
| No casado | |
| Las demás: | |
| Las demás: | |
| 5 V | |
| 400 mV | |
| 15 A | |
| 150 W | |
| 30 MHz | |
| - | |
| + 150 °C | |
| 2C | |
| Envases | |
| Marca: | Toshiba |
| Corriente continua del colector: | 15 A |
| El colector de corriente continua / ganancia de base hfe Min: | 55 |
| Variación de la velocidad de la corriente continua: | 160 |
| Alturas: | 26 mm |
| Duración: | 20.5 mm |
| Tipo de producto: | BJT - Transistores bipolares |
| Subcategoría: | Transistores |
| Tecnología: | Sí, sí. |
| Ancho: | 5.2 mm |
| Peso unitario: | 0.239863 onzas |
Aplicaciones de amplificadores de potencia
• Alta tensión de ruptura: VCEO = 230 V (min)
• Complementario del 2SA1943
• Adecuado para su uso en amplificadores de audio de alta fidelidad de 100 W
Especificaciones