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 Transistores de RF
China Transistores bipolares - BJT 50 V Transistores RF BJT de señal pequeña for sale

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JAN2N2222A Transistores bipolares - BJT 50 V con señal pequeña BJT El fabricante: El microchip Categoría de producto: Transistores bipolares
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China FDV303N Transistores RF FET digitales de N-canal MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23 for sale

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FDV303N Transistores FET digitales de N-canal en semicanal de RF El fabricante: en semi Categoría de producto: MOSFETs La norma RoHS:
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China BLF177 MRF150 Transistores MOSFET RF de 5 a 150 MHz de 150 vatios con ganancia de 50 voltios de 17 dB for sale

BLF177 MRF150 Transistores MOSFET RF de 5 a 150 MHz de 150 vatios con ganancia de 50 voltios de 17 dB

El fabricante: - ¿Qué es? Categoría de producto: Transistores MOSFET de RF La norma RoHS: Detalles Polaridad del transistor: N-canal Tecnol
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China ZTX951STZ IC de transistor bipolar BJT PNP con gran chip SELine for sale

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ZTX951STZ Transistores bipolares BJT PNP Gran Chip SELine Atributo del producto Valor del atributo El fabricante: Diodos incorporados Categor
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China BS816A-1 Modo de mejora de los canales P Dmos TRANSISTOR TRANSISTOR de alta potencia for sale

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BS816A-1 Modo de mejora del canal P Dmos Transistores RF Transistores El fabricante: Diodos de aluminio Categoría de producto: Mejora del canal
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China J201 JFET Transistores de canal N de propósito general Transistores RF de alta potencia for sale

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China Transistores de RF de 1,25 W for sale

Transistores de RF de 1,25 W

ZXTN25100BFHTA Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 160MHz 1.25 W Montaje de superficie El fabricante: Diodos incorporados Categoría de prod
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China VOS617A-4T Transistor de aislamiento óptico Salida 3750Vrms Transistor RF de alta potencia de 1 canal for sale

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VOS617A-4T Transistor de aislamiento óptico Salida 3750Vrms 1 Canal 4-SSOP El fabricante: Vishay. Categoría de producto: Optoacopladores de sa
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China 2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L) for sale

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2SC5200-O(Q) Transistor bipolar (BJT) NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero El fabricante: Toshiba Categoría de producto: Transistore
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China 2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L) for sale

2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)

2SA1943-O(Q) Transistor bipolar (BJT) PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero El fabricante: Toshiba Categoría de producto: Transistore
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