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Casa / Productos / RF Transistors / 2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L) /

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2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero TO-3P ((L)
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2SC5200-O(Q) Transistor bipolar (BJT) NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W a través del agujero El fabricante: Toshiba Categoría de producto: Transistores ...
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Transistores de potencia de 2sa1535 PNP con un transistor de 126 p55nfo power mosfet

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