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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Transistor de efecto de campo TIP112, transistor de alta frecuencia

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China Transistor de efecto de campo TIP112, transistor de alta frecuencia wholesale
  • China Transistor de efecto de campo TIP112, transistor de alta frecuencia wholesale

Transistor de efecto de campo TIP112, transistor de alta frecuencia
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Lugar del origen :China Shenzhen
Cantidad de orden mínima :1000-2000 PC
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Número de modelo :TIP112
Identificación del producto :TIP112
Función :Voltaje de saturación bajo del emisor del colector
Disipación de poder del colector :2w
Temperatura de empalme :150℃
Voltaje de la Colector-Base :100V
voltaje de la Emisor-base :5V
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TO-220-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores TIP112 DARLINGTON (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
  • Alto aumento actual de DC: hFE=1000 @ VCE=4V, IC=1A (mínimo)
  • Voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
  • Uso industrial
 

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base 100 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 100 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 5 V
IC Corriente de colector - continua 2 A
PC Disipación de poder del colector 2 W
TJ Temperatura de empalme 150 ℃
Tstg Temperatura de almacenamiento -55 a +150 ℃

 

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)

 

 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC=10mA, ES DECIR =0 100     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC=30mA, IB=0 (SUS) 100     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR =10MA, IC=0 5     V
Corriente de atajo de colector ICEO VCE=50V, IB=0     2 mA
Corriente de atajo de colector ICBO VCB=100V, ES DECIR =0     1 mA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB=5V, IC=0     2 mA

 

Aumento actual de DC

 hFE (1) VCE=4V, IC=1A 1000   12000  
hFE (2) VCE=4V, IC=2A 500      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=2A, IB=8mA     2,5 V
Voltaje del emisor de base VBE VCE=4V, IC=2A     2,8 V
Capacitancia de salida del colector Mazorca VCB=10V, ES DECIR =0, f=0.1MHz     100 PF

 

 

 

Dimensiones del esquema del paquete de TO-220-3L

 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 TIPO 0,100 TIPOS
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

Transistor de efecto de campo TIP112, transistor de alta frecuencia

 

 


 

Etiquetas de productos:

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