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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MrDavid Lee

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FR301 A TRAVÉS de Mosfet del modo del aumento FR307, Mosfet de alto voltaje del poder

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Lugar del origen :China Shenzhen

Cantidad de orden mínima :1000-2000 PC

Detalles de empaquetado :Encajonado

Plazo de expedición :1 - 2 semanas

Condiciones de pago :L/C T/T Western Union

Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día

Número de modelo :FR301 CON FR307

Tipo :TRANSFERENCIA DIODESOD

Función :Salida reversa baja

Terminales :Conductores axiales plateados, solderable por MIL-STD-750,

Peso :0,04 onzas, 1,10 gramos

Identificación del producto :FR301 CON FR307

Caso :Cuerpo plástico moldeado DO-41 de JEDEC

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FR301 CON FR307 AYUNAN voltaje reverso de los RECTIFICADORES de la RECUPERACIÓN - 50 a 1000 voltios de corriente delantera - 3,0 amperios

CARACTERÍSTICA

El paquete plástico lleva el laboratorio de los suscriptores

Clasificación 94V-0 de la inflamabilidad

Transferencia rápida para la eficacia alta

Salida reversa baja

Alta capacidad delantera de la sobretensión

El soldar de alta temperatura garantizado:

250 C/10 segundos, 0,375" longitud de la ventaja (de 9.5m m),

5 libras. tensión (2.3kg)

FR301 A TRAVÉS de Mosfet del modo del aumento FR307, Mosfet de alto voltaje del poder

DATOS MECÁNICOS

Caso: Cuerpo plástico moldeado DO-201AD de JEDEC

Terminales: Conductores axiales plateados, solderable por MIL-STD-750,

Método 2026

Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo

Posición de montaje: Ningunos

Peso: 0,04 onzas, 1,10 gramos

GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo contrario. La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo, para la corriente capacitiva de la carga reduce la capacidad normal por el 20%.

Nota:

1. Condición reversa IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de la recuperación

2. medido en 1MHz y el voltaje reverso aplicado de C.C. 4.0V

3. Resistencia termal del empalme a ambiente en 0,375" longitud de la ventaja (de 9.5m m), mounte del PWB

GRADOS Y CURVAS CARACTERÍSTICAS 1N4942 CON 1N4948

Etiquetas de productos:

p55nfo power mosfet

enhancement mosfet working

enhancement mosfet

Carro de la investigación 0