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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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El transistor de poder del Mosfet de G40N10 100V, transistor del canal N ayuna transferencia

Categorías de Producto

Transistor de poder del Mosfet

 [236]

Transistores de poder de la extremidad

 [60]

Transistor de poder del silicio

 [38]

Diodo que cambia dual

 [30]

Mos Field Effect Transistor

 [58]

Mosfet en doble canal

 [20]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [12]

Diodo Zener del poder

 [12]

Puente rectificador de Schottky

 [20]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [30]

Triodo del semiconductor

 [18]

Estabilizador IC del voltaje

 [28]
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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China El transistor de poder del Mosfet de G40N10 100V, transistor del canal N ayuna transferencia wholesale
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El transistor de poder del Mosfet de G40N10 100V, transistor del canal N ayuna transferencia
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Lugar del origen :China Shenzhen
Cantidad de orden mínima :1000-2000 PC
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Número de modelo :HXY2312
Nombre del producto :transistor de poder del mosfet
Temperatura de empalme :150℃
Materiales :silicio
Caso :Cinta/bandeja/carrete
Tipo :Transistor del Mosfet
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El transistor de poder del Mosfet de G40N10 100V, transistor del canal N ayuna transferencia

 

Resumen del producto

 

El G40N10 utiliza tecnología plana avanzada para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga de la puerta y la operación bajas con los voltajes de la puerta tan bajos como 2.5V. Este dispositivo es conveniente para el uso como protección de la batería o en el otro uso de la transferencia.
 
 
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