Productos proveedores Sign in Register

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Miembro activo
7 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitar un presupuesto
Español
Casa / Productos / Mos Field Effect Transistor /

MOSFET del canal N 20-V (D-S) del transistor de efecto de campo del MOS de HXY2302Z

Categorías de Producto

Transistor de poder del Mosfet

 [236]

Transistores de poder de la extremidad

 [60]

Transistor de poder del silicio

 [38]

Diodo que cambia dual

 [30]

Mos Field Effect Transistor

 [58]

Mosfet en doble canal

 [20]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [12]

Diodo Zener del poder

 [12]

Puente rectificador de Schottky

 [20]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [30]

Triodo del semiconductor

 [18]

Estabilizador IC del voltaje

 [28]
Contacta
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
Ver detalles de contacto
Contacta
China MOSFET del canal N 20-V (D-S) del transistor de efecto de campo del MOS de HXY2302Z wholesale
  • China MOSFET del canal N 20-V (D-S) del transistor de efecto de campo del MOS de HXY2302Z wholesale

MOSFET del canal N 20-V (D-S) del transistor de efecto de campo del MOS de HXY2302Z
Preguntar último precio
Lugar del origen :China Shenzhen
Cantidad de orden mínima :1000-2000 PC
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Número de modelo :HXY2302Z
Nombre del producto :transistor de poder del mosfet
Transistor del Mosfet del poder :SOT-23 Plástico-encapsulan
TJ :150℃
RDS (ENCENDIDO) < 23mΩ :(VGS = 10V)
Tipo :Transistor del Mosfet
more
Contacta

Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

SOT-23 Plástico-encapsulan el MOSFET del canal N 20-V (D-S) de los MOSFETS HXY2302Z

 

 

Resumen del producto

 
RDS (encendido)<60m>
RDS (encendido)<73m>
ID=2.3A
VDSS=20V
 
 
Grados máximos (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 
MOSFET del canal N 20-V (D-S) del transistor de efecto de campo del MOS de HXY2302Z
 
 
T =25 un ℃ salvo especificación de lo contrario
 
MOSFET del canal N 20-V (D-S) del transistor de efecto de campo del MOS de HXY2302Z
 
Característica típica
 
 
MOSFET del canal N 20-V (D-S) del transistor de efecto de campo del MOS de HXY2302ZMOSFET del canal N 20-V (D-S) del transistor de efecto de campo del MOS de HXY2302Z
 
Etiquetas de productos:

p-channel mosfet sot-23

n channel mosfet transistor

mos field effect transistor
Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4