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Triodo del semiconductor

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Estabilizador IC del voltaje

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MrDavid Lee

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China Transistor de poder del silicio BAW56/BAV70/BAV9 para la transferencia de fines generales wholesale

BAV9 para la transferencia de fines generales

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Lugar del origen :China Shenzhen

Cantidad de orden mínima :1000-2000 PC

Detalles de empaquetado :Encajonado

Plazo de expedición :1 - 2 semanas

Condiciones de pago :L/C T/T Western Union

Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día

Número de modelo :BAW56/BAV70/BAV9

Tipo :TRANSFERENCIA DIODESOD

Aplicación :Transferencia de fines generales

Transistor del Mosfet del poder :Plástico-EncapsulateDiodes SOD-123

Temperatura de almacenamiento :-55~+150℃

Identificación del producto :BAW56/BAV70/BAV9

Corriente máxima del pulso :2A

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El DIODO de TRANSFERENCIA BAW56/BAV70/BAV9 SOD-123 Plástico-encapsula los diodos

CARACTERÍSTICA

Velocidad de transferencia rápida

Para los usos de fines generales de la transferencia

TRANSFERENCIA DIODESOD

Marcado

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

ElectricalCharacteristics@Ta =25℃

Characterisitics típico

Dimensiones del esquema del paquete

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	0,900	1,150	0,035	0,045
A1	0,000	0,100	0,000	0,004
A2	0,900	1,050	0,035	0,041
b	0,300	0,500	0,012	0,020
c	0,080	0,150	0,003	0,006
D	2,800	3,000	0,110	0,118
E	1,200	1,400	0,047	0,055
E1	2,250	2,550	0,089	0,100
e	0,950 TIPOS		0,037 TIPOS
e1	1,800	2,000	0,071	0,079
L	0,550 REFERENCIAS		0,022 REFERENCIAS
L1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

Transistor de poder del silicio BAW56/BAV70/BAV9 para la transferencia de fines generales

Transistor de poder del Mosfet

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Diodo que cambia dual

Mos Field Effect Transistor

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Puente rectificador de Schottky

Diodo de rectificador de alto voltaje

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