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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Transistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuencia

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 [236]

Transistores de poder de la extremidad

 [60]

Transistor de poder del silicio

 [38]

Diodo que cambia dual

 [30]

Mos Field Effect Transistor

 [58]

Mosfet en doble canal

 [20]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [12]

Diodo Zener del poder

 [12]

Puente rectificador de Schottky

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Diodo de rectificador de alto voltaje

 [30]

Triodo del semiconductor

 [18]

Estabilizador IC del voltaje

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China Transistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuencia wholesale
  • China Transistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuencia wholesale

Transistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuencia
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Lugar del origen :China Shenzhen
Cantidad de orden mínima :1000-2000 PC
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Número de modelo :BAV19W~BAV21W
Tipo :TRANSFERENCIA DIODESOD
Función :Velocidad de transferencia rápida
Transistor del Mosfet del poder :Plástico-EncapsulateDiodes SOD-123
Temperatura de almacenamiento :-55~+150℃
Identificación del producto :BAV19W~BAV21W
Corriente máxima del pulso :2A
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BAV19W~BAV21W SWITCHINGDIODESOD-123 SOD-123Plastic-EncapsulateDiodes


 

CARACTERÍSTICA
 
Corriente reversa baja
Paquete superficial del soporte adecuado idealmente para la inserción automática
Velocidad de transferencia rápida 
Para los usos de fines generales de la transferencia

Marcado 

 

Los cates del barindi de la marca el cátodo 

El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea,

ifnone, dispositivo thenormal.

Transistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuencia

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 

 Transistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuencia
 
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)
 

 
Transistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuencia


 
 
 
Characterisitics típico  
 Transistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuenciaTransistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuencia
 




 
 
 
 
 
 
 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TIPOS 0,037 TIPOS
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 REFERENCIAS 0,022 REFERENCIAS
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ 0° 8° 0° 8°

 
 



 
 
 
 

Etiquetas de productos:

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