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Transferencia de poca velocidad encapsulada plástico B772 de los transistores de poder de la extremidad de PNP TO-251-3L

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Estabilizador IC del voltaje

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MrDavid Lee

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China Transferencia de poca velocidad encapsulada plástico B772 de los transistores de poder de la extremidad de PNP TO-251-3L wholesale

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Transferencia de poca velocidad encapsulada plástico B772 de los transistores de poder de la extremidad de PNP TO-251-3L

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Lugar del origen :China Shenzhen

Cantidad de orden mínima :1000-2000 PC

Detalles de empaquetado :Encajonado

Plazo de expedición :1 - 2 semanas

Condiciones de pago :L/C T/T Western Union

Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día

Número de modelo :B772

Voltaje de la VoltageCollector-base de la Colector-base :40V

Voltaje del Colector-Emisor :30V

voltaje de la Emisor-base :-6V

Nombre del producto :tipo del triodo del semiconductor

TJ :150℃

Tipo :Transistor del triodo

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TRANSISTOR Plástico-encapsulado TO-126 de los transistores B772 (PNP)

CARACTERÍSTICA

Transferencia de poca velocidad

GRADOS MÁXIMOS (T_un =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	-40	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	-30	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	-6	V
I_C	Corriente de colector - continua	-3	A
P_C	Disipación de poder del colector	1,25	W
RӨJA	Resistencia termal, empalme a ambiente	100	℃/W
T_j	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55-150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C=-100μA, ES DECIR =0	-40			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) CEO V	I_C= -10MA, I_B=0	-30			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	ES DECIR = -100ΜA, I_C=0	-6			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB= -40V, ES DECIR =0			-1	μA
Corriente de atajo de colector	ICEO	V_CE=-30V, I_B=0			-10	μA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB=-6V, I_C=0			-1	μA
Aumento actual de DC	hFE	V_CE= -2V, I_C= -1A	60		400
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado)	I_C=-2A, I_B= -0.2A			-0,5	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado)	I_C=-2A, I_B= -0.2A			-1,5	V
Frecuencia de la transición	pie	V_CE= -5V, I_C=-0.1A f =10MHz	50	80		Megaciclo

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎

Fila	R	O	Y	GR
Gama	60-120	100-200	160-320	200-400

Dimensiones del esquema del paquete

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TIPO		0,050 TIPOS
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

Etiquetas de productos:

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