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Miembro activo
6 Años
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B772 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
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B772 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP

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Lugar del origen :China Shenzhen
Cantidad de orden mínima :1000-2000 PC
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Número de modelo :B772
Disipación de poder del colector :1.25W
VCEO :-30V
VEBO :-6V
Nombre del producto :tipo del triodo del semiconductor
TJ :150℃
Tipo :Transistor del triodo
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TO-126 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores B772 (PNP)

 

 

CARACTERÍSTICA
 


Transferencia de poca velocidad

 

 

MARCADO

Código de B772=Device

Punto sólido = verde que moldea el dispositivo compuesto, si ninguno, el dispositivo normal XX=Code

 

B772 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP

 

 

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte Paquete Método del embalaje Cantidad del paquete
B772 TO-126 Bulto 200pcs/Bag
B772-TU TO-126 Tubo 60pcs/Tube


 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base -40 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor -30 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base -6 V
IC Corriente de colector - continua -3 A
PC Disipación de poder del colector 1,25 W
RӨJA Resistencia termal del empalme a ambiente 100 ℃/W
Tj Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura de almacenamiento -55-150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario


 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC=-100μA, ES DECIR =0 -40     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC= -10MA, IB=0 -30     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR = -100ΜA, IC=0 -6     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB= -40V, ES DECIR =0     -1 μA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE=-30V, IB=0     -10 μA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB=-6V, IC=0     -1 μA
Aumento actual de DC hFE VCE= -2V, IC= -1A 60   400  
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=-2A, IB= -0.2A     -0,5 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (sentado) IC=-2A, IB= -0.2A     -1,5 V

 

Frecuencia de la transición

pie

VCE= -5V, IC=-0.1A

f =10MHz

 

50

 

80

 

 

Megaciclo

 
  

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

Fila R O Y GR
Gama 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Características típicas

B772 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNPB772 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNPB772 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP

 

 

 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

B772 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP

 

 

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