Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Manufacturer from China
Miembro activo
6 Años
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Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
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Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

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Lugar del origen :China Shenzhen
Cantidad de orden mínima :1000-2000 PC
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Número de modelo :MJE13003
Tipo :Transistor del triodo
Materiales :silicio
Transistor del Mosfet del poder :TO-126 Plástico-encapsulan
Nombre del producto :tipo del triodo del semiconductor
TJ :150℃
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TO-126 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores MJE13003 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Usos de la transferencia del poder de Ÿ

 

 

MARCADO

Código de MJE13003=Device

Punto sólido = verde que moldea el dispositivo compuesto, si ninguno, el dispositivo normal

Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

 

Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

 

 

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte Paquete Método del embalaje Cantidad del paquete
MJE13003 TO-126 Bulto 200pcs/Bag
MJE13003-TU TO-126 Tubo 60pcs/Tube


 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Colector - voltaje bajo 600 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 420 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 7 V
IC Corriente de colector - continua 0,2 A
PC Disipación de poder del colector 0,75 W
TJ Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura de almacenamiento -55 ~150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario


 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC= 0.1mA, ES DECIR =0 600     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC= 1mA, IB=0 400     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR =0.1MA, IC=0 6     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB=600V, ES DECIR =0     100 UA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE=400V, IB=0     100 UA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB=7V, IC=0     10 UA
Aumento actual de DC hFE (1)* VCE=10V, IC=200mA 20   30  
hFE (2) VCE=10V, IC=250μA 5    
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) 1 IC=200mA, IB=40mA     0,5 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (sentado) IC=200mA, IB=40mA     1,1 V
Frecuencia de la transición fT VCE=10V, IC=100mA, f=1MHz 5     Megaciclo
Tiempo de caída tf IC=100mA     0,5 μs
Tiempo de almacenamiento tS* IC=100mA 2   4

 

 
 Dimensiones del esquema del paquete TO-92

 

 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TIPO 0,090 TIPOS
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

 

Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

 

 

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