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6 Años
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Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
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Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN

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Lugar del origen :China Shenzhen
Cantidad de orden mínima :1000-2000 PC
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Número de modelo :D882
Voltaje de la VoltageCollector-base de la Colector-base :40V
Voltaje del Colector-Emisor :30V
voltaje de la Emisor-base :6v
Transistor del Mosfet del poder :TO-126 Plástico-encapsulan
Materiales :silicio
Tipo :Transistor del triodo
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TO-126 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D882 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 


Disipación de poder

 

 

 

MARCADO

 

Código de D882=Device

Punto sólido = verde que moldea el dispositivo compuesto, si ninguno, el dispositivo normal XX=Code

Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN

 

 

 

 

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte Paquete Método del embalaje Cantidad del paquete
D882 TO-126 Bulto 200pcs/Bag
D882-TU TO-126 Tubo 60pcs/Tube

 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)
 

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base 40 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 30 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 6 V
IC Corriente de colector - continua 3 A
PC Disipación de poder del colector 1,25 W
TJ Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura de almacenamiento -55-150

 
 
 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC = 100μA, ES DECIR =0 40     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC = 10mA, IB=0 30     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR = 100μA, IC=0 6     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB= 40 V, ES DECIR =0     1 µA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE= 30 V, IB=0     10 µA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB= 6 V, IC=0     1 µA
Aumento actual de DC hFE VCE= 2 V, IC= 1A 60   400  
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC= 2A, IB= 0,2 A     0,5 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (sentado) IC= 2A, IB= 0,2 A     1,5 V

 

Frecuencia de la transición

 

fT

VCE= 5V, IC=0.1A

f =10MHz

 

 

90

 

 

Megaciclo

 
  

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

Fila R O Y GR
Gama 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Características típicas

 

 
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 Dimensiones del esquema del paquete
 

 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
Minuto Máximo Minuto Máximo
A 2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TIPO 0,090 TIPOS
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 
 
Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN
 
 

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