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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Plástico de los transistores de poder de la extremidad de A733 PNP TO-92 - encapsule los transistores

Categorías de Producto

Transistor de poder del Mosfet

 [236]

Transistores de poder de la extremidad

 [60]

Transistor de poder del silicio

 [38]

Diodo que cambia dual

 [30]

Mos Field Effect Transistor

 [58]

Mosfet en doble canal

 [20]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [12]

Diodo Zener del poder

 [12]

Puente rectificador de Schottky

 [20]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [30]

Triodo del semiconductor

 [18]

Estabilizador IC del voltaje

 [28]
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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China Plástico de los transistores de poder de la extremidad de A733 PNP TO-92 - encapsule los transistores wholesale
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Plástico de los transistores de poder de la extremidad de A733 PNP TO-92 - encapsule los transistores
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Lugar del origen :China Shenzhen
Cantidad de orden mínima :1000-2000 PC
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Número de modelo :A733
VCBO :-60V
VCEO :-50V
VEBO :-5V
Nombre del producto :tipo del triodo del semiconductor del silicio
TJ :150Š
Tipo :Transistor del triodo
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TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores A733 (PNP)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Disipación de poder

 

 

MARCADO

  • Código de A733=Device
  • El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea, si ninguno, el dispositivo normal
  • Z=Rank del hFE
  • XXX=Code

 

Plástico de los transistores de poder de la extremidad de A733 PNP TO-92 - encapsule los transistores

 

 

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte Paquete Método del embalaje Cantidad del paquete
A733 TO-92 Bulto 1000pcs/Bag
A733-TA TO-92 Cinta 2000pcs/Box


 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base -60 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor -50 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base -5 V
I C Corriente de colector - continua -100 mA
PC Disipación de poder del colector 250 mW
TJ Temperatura de empalme 150 ℃
Tstg Temperatura del empalme y de almacenamiento -55~+150 ℃

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario


 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC= -50UA, ES DECIR =0 -60     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC= -1MA, IB=0 -50     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR = -50UA, IC=0 -5     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB= -60V, ES DECIR =0     -0,1 UA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB= -5 V, IC=0     -0,1 UA
Aumento actual de DC hFE VCE= -6V, IC= -1MA 90 200 600  
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC= -100mA, I B=- 10mA   -0,18 -0,3 V
Voltaje del emisor de base VBE VCE=-6V, IC=-1.0mA -0,58 -0,62 -0,68 V
Frecuencia de la transición pie VCE=-6V, IC=-10mA 100     Megaciclo
Capacitancia de salida del colector Mazorca VCB=-10V, ES DECIR =0, f=1MHZ     6 PF

 

Figura de ruido

 

N-F

VCE=-6V, IC=-0.3mA,

Rg=10kΩ, f=100HZ

    

 

20

 

DB

 
  

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

Fila R Q P K
Gama 90-180 135-270 200-400 300-600

 

 

 

 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

Etiquetas de productos:

ptfe encapsulated o-rings

pnp mosfet

p type mosfet
Carro de la investigación 0

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