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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MrDavid Lee

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MOSFET del P-canal de HXY4441 30V

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Número de modelo :HXY4441

Lugar del origen :China Shenzhen

Cantidad de orden mínima :1000-2000 PC

Condiciones de pago :L/C T/T Western Union

Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día

Plazo de expedición :1 - 2 semanas

Detalles de empaquetado :Encajonado

Nombre del producto :transistor de poder del mosfet

VDS :30V

Aplicación :circuitos de alta frecuencia

Función :Carga baja de la puerta

VGS :30V

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MOSFET del P-canal de HXY4441 30V

Descripción

A. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, en un ambiente de aire inmóvil con TA =25°C. que el valor en cualquier uso dado depende del diseño específico del tablero del usuario.

B. El paladio de la disipación de poder se basa en TJ (max) =150°C, usando resistencia termal empalme-a-ambiente del ≤ 10s.

C. el grado repetidor, anchura de pulso limitada por grados de la temperatura de empalme TJ (max) =150°C. se basa en de baja fricción y ciclos de trabajo para guardar initialTJ=25°C.

D. El RθJA es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar RθJL y a llevar a ambiente.

E. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando <300>

F. Estas curvas se basan en la impedancia termal empalme-a-ambiente que se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, asumiendo que una temperatura de empalme máxima de TJ (max) =150°C. la curva de SOA proporciona un solo grado del pulso.

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