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MOSFET complementario RDS (ENCENDIDO) los < 30m del transistor de poder del Mosfet de HXY4606 30V

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
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MOSFET complementario RDS (ENCENDIDO) los < 30m del transistor de poder del Mosfet de HXY4606 30V

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Lugar del origen :China Shenzhen
Cantidad de orden mínima :1000-2000 PC
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Número de modelo :HXY4606
Nombre del producto :transistor de poder del mosfet
VDS :30V
RDS (ENCENDIDO) :< 30m="">
Número de modelo de VDS :HXY4606
Características :Paquete superficial del soporte
Caso :Cinta/bandeja/carrete
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MOSFET complementario de HXY4606 30V

 

 

Descripción

 

El HXY4606 utiliza technologyMOSFETs avanzados del foso para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO) y el gatecharge bajo. Los MOSFETs complementarios pueden ser toform usado al alto interruptor lateral desplazado nivel, y para los usos de un ofother del anfitrión.

 

 

MOSFET complementario RDS (ENCENDIDO) los < 30m del transistor de poder del Mosfet de HXY4606 30V

 

 

Características eléctricas de N-CH (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

MOSFET complementario RDS (ENCENDIDO) los < 30m del transistor de poder del Mosfet de HXY4606 30V

 

A. El valor delθJAde R se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, en un ambiente de aire inmóvil con TA =25°C.

el valor en cualquier uso dado depende del diseño específico del tablero del usuario.

B. La disipación de poder PD se basa en TJ(max) =150°C, usando resistencia termal empalme-a-ambiente del ≤ 10s. C. el grado repetidor, anchura de pulso limitada por grados de la temperatura de empalme TJ(max) =150°C. se basa en de baja fricción y ciclos de trabajo para guardar el initialTJ=25°C.

D. ElθJAde R es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar elθJLde R y a llevar a ambiente.

E. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando <300>

F. Estas curvas se basan en la impedancia termal empalme-a-ambiente que se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, asumiendo que una temperatura de empalme máxima de TJ(max) =150°C. la curva de SOA proporciona un solo grado del pulso.

 

 

Canal N: CARACTERÍSTICA ELÉCTRICA Y TERMAL TÍPICA
 
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Características eléctricas del P-canal (TJ=25°C a menos que se indicare en forma diferente)
 
MOSFET complementario RDS (ENCENDIDO) los < 30m del transistor de poder del Mosfet de HXY4606 30V
 
A. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, en un ambiente de aire inmóvil con TA =25°C.
el valor en cualquier uso dado depende del diseño específico del tablero del usuario.
B. El paladio de la disipación de poder se basa en TJ (max) =150°C, usando resistencia termal empalme-a-ambiente del ≤ 10s.
C. el grado repetidor, anchura de pulso limitada por grados de la temperatura de empalme TJ (max) =150°C. se basa en de baja fricción y ciclos de trabajo para guardar
initialTJ=25°C.
D. El RθJA es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar RθJL y a llevar a ambiente.
E. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando <300>
F. Estas curvas se basan en la impedancia termal empalme-a-ambiente con la cual se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4
2oz. Revista con cobre, asumiendo que una temperatura de empalme máxima de TJ (max) =150°C. la curva de SOA proporciona un solo grado del pulso.
 
 
ESTE PRODUCTO SE HA DISEÑADO Y SE HA CALIFICADO PARA EL MERCADO DE CONSUMIDORES. LOS USOS O LAS APLICACIONES COMO CRITICALCOMPONENTS EN DISPOSITIVOS O SISTEMAS DEL CONECTADO A UNA MÁQUINA QUE MANTIENE LAS CONSTANTES VITALES NO SE AUTORIZAN. EL AOS NO ASUME NINGUNA RESPONSABILIDAD ARISINOUT DE TALES USOS O APLICACIONES DE SUS PRODUCTOS. EL AOS SE RESERVA LA DERECHA DE MEJORAR DISEÑO, FUNCIONES Y CONFIABILIDAD DE PRODUCTO SIN PREVIO AVISO.
 
 
P-canal: CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS
 
 
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