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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Dren continuo 6.5A actual del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de HXY4812 30V

Categorías de Producto

Transistor de poder del Mosfet

 [236]

Transistores de poder de la extremidad

 [60]

Transistor de poder del silicio

 [38]

Diodo que cambia dual

 [30]

Mos Field Effect Transistor

 [58]

Mosfet en doble canal

 [20]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [12]

Diodo Zener del poder

 [12]

Puente rectificador de Schottky

 [20]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [30]

Triodo del semiconductor

 [18]

Estabilizador IC del voltaje

 [28]
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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China Dren continuo 6.5A actual del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de HXY4812 30V wholesale
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Dren continuo 6.5A actual del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de HXY4812 30V
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Lugar del origen :China Shenzhen
Cantidad de orden mínima :1000-2000 PC
Detalles de empaquetado :Encajonado
Plazo de expedición :1 - 2 semanas
Condiciones de pago :L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente :18,000,000PCS/por día
Número de modelo :HXY4812
Nombre del producto :transistor de poder del mosfet
VDS :30V
Caso :Cinta/bandeja/carrete
VGS :±20V
Corriente continua del dren :6.5A
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HXY4812 30V se doblan MOSFET del canal N

 

 

Descripción general

 

La tecnología avanzada del foso de las aplicaciones de HXY4822A a

proporcione el RDS excelente (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. Esto

el dispositivo es conveniente para el uso como interruptor de la carga o en PWM

usos.

 

 

Resumen del producto

Dren continuo 6.5A actual del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de HXY4812 30VDren continuo 6.5A actual del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de HXY4812 30V

 

 

 

Grados máximos absolutos T =25°C a menos que se indicare en forma diferente

 

Dren continuo 6.5A actual del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de HXY4812 30V

 

 

Características eléctricas (T =25°C a menos que se indicare en forma diferente)

 

 

Dren continuo 6.5A actual del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de HXY4812 30V

 

 

A. El valor delθJAde R se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, en un ambiente de aire inmóvil con TA =25°C.

el valor en cualquier uso dado depende del diseño específico del tablero del usuario.

B. La disipación de poder PD se basa en TJ(max) =150°C, usando resistencia termal empalme-a-ambiente del ≤ 10s.

C. el grado repetidor, anchura de pulso limitada por grados de la temperatura de empalme TJ(max) =150°C. se basa en de baja fricción y ciclos de trabajo para guardar

D. ElθJAde R es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar elθJLde R y a llevar a ambiente.

E. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando <300>

 

Dren continuo 6.5A actual del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de HXY4812 30VDren continuo 6.5A actual del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de HXY4812 30V

 

 

 

 

Etiquetas de productos:

n channel power mosfet

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