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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Casa / Productos / Mosfet Power Transistor / Tipo dual alto rendimiento del interruptor de gran intensidad N del Mosfet HXY4812  /

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Transistor de poder del Mosfet

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Transistores de poder de la extremidad

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Transistor de poder del silicio

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Diodo que cambia dual

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Mos Field Effect Transistor

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Mosfet en doble canal

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Diodo de rectificador rápido de la recuperación

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Triodo del semiconductor

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Estabilizador IC del voltaje

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Tipo dual alto rendimiento del interruptor de gran intensidad N del Mosfet HXY4812 
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  • Tipo dual alto rendimiento del interruptor de gran intensidad N del Mosfet HXY4812 
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HXY4812 0V se doblan MOSFET del canal N Descripción general La tecnología avanzada del foso de las aplicaciones HXY4812 a proporcione el RDS excelente ...
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Transistor de potencia de mosfet com P55nfo energía mosfet Transistores de potencia actualizados npn

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