Chips CI de fines generales originales del interruptor del poder Transistor/MOSFET/Power de AP2322GN
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Descripción
Los MOSFETs avanzados del poder utilizaron técnicas de proceso avanzadas para alcanzar la en-resistencia posible más baja, extremadamente eficiente y el dispositivo de la rentabilidad.
El paquete de SOT-23S se prefiere extensamente para los usos superficiales comercial-industriales del soporte y se adapta para los usos de la baja tensión tales como convertidores de DC/DC.
Ratings@Tj máximo absoluto =25oC (salvo especificación de lo contrario)
| Símbolo |
Parámetro |
Grado |
Unidades |
| VDS |
Voltaje de la Dren-fuente |
20 |
V |
| VGS |
Voltaje de la Puerta-fuente |
+8 |
V |
| ID@TA =25℃ |
Drene la corriente3, VGS @ 4.5V |
2,5 |
|
| ID@TA =70℃ |
Drene la corriente3, VGS @ 4.5V |
2,0 |
|
| IDM |
Corriente pulsada1del dren |
10 |
|
| PD@TA =25℃ |
Disipación de poder total |
0,833 |
W |
| TSTG |
Gama de temperaturas de almacenamiento |
-55 a 150 |
℃ |
| TJ |
Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme |
-55 a 150 |
℃ |
Datos termales
| Símbolo |
Parámetro |
Valor |
Unidad |
| Rthj-a |
Resistencia termal máxima,3Empalme-ambiente |
150 |
℃/W |
AP2322G
Characteristics@Tj eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)
| Símbolo |
Parámetro |
Condiciones de prueba |
Mínimo. |
Tipo. |
Máximo. |
Unidades |
| BVDSS |
Voltaje de avería de la Dren-fuente |
VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA |
20 |
- |
- |
V |
| RDS (ENCENDIDO) |
En-resistencia estática2de la Dren-fuente |
VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =1.6A |
- |
- |
90 |
mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICACIÓN =1A |
- |
- |
120 |
mΩ |
| VGS =1.8V, IDENTIFICACIÓN =0.3A |
- |
- |
150 |
mΩ |
| VGS (th) |
Voltaje del umbral de la puerta |
VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =1MA |
0,25 |
- |
1 |
V |
| gfs |
Transconductancia delantera |
VDS =5V, IDENTIFICACIÓN =2A |
- |
2 |
- |
S |
| IDSS |
Corriente de la salida de la Dren-fuente |
VDS =20V, VGS =0V |
- |
- |
1 |
UA |
| IGSS |
Salida de la Puerta-fuente |
VGS =+8V, VDS =0V |
- |
- |
+100 |
nA |
| Qg |
Carga total de la puerta |
Identificación =2.2A
VDS =16V VGS =4.5V
|
- |
7 |
11 |
nC |
| Qgs |
Carga de la Puerta-fuente |
- |
0,7 |
- |
nC |
| Qgd |
Carga del Puerta-dren (“Miller”) |
- |
2,5 |
- |
nC |
| TD (encendido) |
Tiempo de retraso de abertura |
IDENTIFICACIÓN =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V
VGS =5V
|
- |
6 |
- |
ns |
| tr |
Tiempo de subida |
- |
12 |
- |
ns |
| TD (apagado) |
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado |
- |
16 |
- |
ns |
| tf |
Tiempo de caída |
- |
4 |
- |
ns |
| CISS |
Capacitancia entrada |
V.GS=0V VDS =20V
f=1.0MHz
|
- |
350 |
560 |
PF |
| Coss |
Capacitancia de salida |
- |
55 |
- |
PF |
| Crss |
Capacitancia reversa de la transferencia |
- |
48 |
- |
PF |
| Rg |
Resistencia de la puerta |
f=1.0MHz |
- |
3,2 |
4,8 |
Ω |
Diodo del Fuente-dren
| Símbolo |
Parámetro |
Condiciones de prueba |
Mínimo. |
Tipo. |
Máximo. |
Unidades |
| VSD |
Remita en el voltaje2 |
ES =0.7A, VGS =0V |
- |
- |
1,2 |
V |
| trr |
Tiempo de recuperación reversa |
ES =2A, VGS =0V,
dI/dt=100A/µs
|
- |
20 |
- |
ns |
| Qrr |
Carga reversa de la recuperación |
- |
13 |
- |
nC |
Notas:
anchura 1.Pulse limitada por temperatura de empalme máxima.
prueba 2.Pulse
3.Surface montó en 1 enel cojín de cobre2 FR4 del tablero, t<> 10sec; 360 ℃/W cuando está montado en el cojín de cobre mínimo.
