Las series de AP2302A son de poder avanzado innovaron diseño y tecnología de proceso del silicio de alcanzar el posible más bajo en resistencia y funcionamiento que cambia rápido. Provee del diseñador un dispositivo eficiente extremo para el uso en una amplia gama de usos del poder.

El paquete especial del diseño SOT-23 con buen funcionamiento termal se prefiere extensamente para todos los usos superficiales comercial-industriales del soporte usando la técnica infrarroja del flujo y se adapta para los usos de la conversión o del interruptor del voltaje.

Ratings@Tj máximo absoluto =25oC (salvo especificación de lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Grado	Unidades
VDS	Voltaje de la Dren-fuente	20	V
VGS	Voltaje de la Puerta-fuente	+8	V
ID@TA =25℃	Drene la corriente³, VGS @ 4.5V	4,6
ID@TA =70℃	Drene la corriente³, VGS @ 4.5V	3,7
IDM	Corriente pulsada^1del dren	20
PD@TA =25℃	Disipación de poder total	1,38	W
TSTG	Gama de temperaturas de almacenamiento	-55 a 150	℃
TJ	Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme	-55 a 150	℃

Datos termales

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
Rthj-a	Resistencia termal máxima,^3Empalme-ambiente	90	℃/W

AP2302AGN-H

Characteristics@Tj eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)

Símbolo	Parámetro	Condiciones de prueba	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
BVDSS	Voltaje de avería de la Dren-fuente	VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA	20	-	-	V
RDS (ENCENDIDO)	En-resistencia estática^2de la Dren-fuente	VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =4A	-	-	42	mΩ
RDS (ENCENDIDO)	En-resistencia estática^2de la Dren-fuente	VGS =2.5V, IDENTIFICACIÓN =3A	-	-	60	mΩ
VGS (th)	Voltaje del umbral de la puerta	VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA	0,3	-	1,2	V
gfs	Transconductancia delantera	VDS =5V, IDENTIFICACIÓN =4A	-	14	-	S
IDSS	Corriente de la salida de la Dren-fuente	VDS =16V, VGS =0V	-	-	10	UA
IGSS	Salida de la Puerta-fuente	VGS =+8V, VDS =0V	-	-	+100	nA
Qg	Carga total^2de la puerta	IDENTIFICACIÓN =4A VDS =10V VGS =4.5V	-	6,5	10,5	nC
Qgs	Carga de la Puerta-fuente		-	1	-	nC
Qgd	Carga del Puerta-dren (“Miller”)		-	2,5	-	nC
TD (encendido)	Tiempo de retraso de abertura²	IDENTIFICACIÓN =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V	-	9	-	ns
tr	Tiempo de subida		-	12	-	ns
TD (apagado)	Tiempo de retraso de la vuelta-apagado		-	16	-	ns
tf	Tiempo de caída		-	5	-	ns
CISS	Capacitancia entrada	VGS =0V VDS =20V f=1.0MHz	-	300	480	PF
Coss	Capacitancia de salida		-	85	-	PF
Crss	Capacitancia reversa de la transferencia		-	80	-	PF
Rg	Resistencia de la puerta	f=1.0MHz	-	2	-	Ω

Diodo del Fuente-dren

Símbolo	Parámetro	Condiciones de prueba	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
VSD	Remita en el voltaje²	ES =1.2A, VGS =0V	-	-	1,2	V
trr	Tiempo de recuperación reversa²	ES =4A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	20	-	ns
Qrr	Carga reversa de la recuperación	ES =4A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	10	-	nC

Notas:

anchura 1.Pulse limitada por temperatura de empalme máxima.
prueba 2.Pulse

3.Surface montó en 1 en^el cojín de cobre² FR4 del tablero, t<> 10s; 270℃/W cuándo montó en el cojín de cobre mínimo.

Pago:

Aceptamos las condiciones de pago: Transferencia telegráfica (T/T) por adelantado/servicio o términos netos (cooperación a largo plazo) de Paypal/de Western Union/del fideicomiso.

Podemos apoyar muchas clases de moneda, tales como USD; HKD; EUR; Los CNY y otros, nos entran en contacto con por favor.

Etiquetas de productos:

APEC de los ICs AP2302AGN-HF del transistor de poder de 1.38W 20A

Transistor de poder del Mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo que cambia dual

Mos Field Effect Transistor

Mosfet en doble canal

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo Zener del poder

Puente rectificador de Schottky

Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

APEC de los ICs AP2302AGN-HF del transistor de poder de 1.38W 20A

2sc5200 equivalent transistor

power transistor datasheet

power transistor 2n3055