Alternativa del mosfet del transistor de G2012 20V 12A 10mr para AP6982GN2-HF
Descripción:
Las series AP6982 son de poder avanzado innovaron diseño y
¿tecnología de proceso del silicio para alcanzar el posible más bajo encendido? resistencia y funcionamiento que cambia rápido. Proporciona
diseñador con un dispositivo eficiente extremo para el uso en un ancho
gama de usos del poder.
Ratings@Tj máximo absoluto =25o.C (salvo especificación de lo contrario)
| Símbolo |
Parámetro |
Grado |
Unidades |
| VDS |
Voltaje de la Dren-fuente |
20 |
V |
| VGS |
Voltaje de la Puerta-fuente |
+8 |
V |
| ID@TA =25℃ |
Dren continuo3 @ VGS actuales =4.5V |
11 |
|
| ID@TA =70℃ |
Dren continuo3 @ VGS actuales =4.5V |
8,7 |
|
| IDM |
Corriente pulsada1del dren |
40 |
|
| PD@TA =25℃ |
Disipación de poder total3 |
2,4 |
W |
| TSTG |
Gama de temperaturas de almacenamiento |
-55 a 150 |
℃ |
| TJ |
Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme |
-55 a 150 |
℃ |
Datos termales
| Símbolo |
Parámetro |
Valor |
Unidad |
| Rthj-a |
Resistencia termal máxima,3Empalme-ambiente |
52 |
℃/W |
Characteristics@Tj eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)
| Símbolo |
Parámetro |
Condiciones de prueba |
Mínimo. |
Tipo. |
Máximo. |
Unidades |
| BVDSS |
Voltaje de avería de la Dren-fuente |
VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA |
20 |
- |
- |
V |
| RDS (ENCENDIDO) |
En-resistencia estática2de la Dren-fuente |
VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =10A |
- |
9,3 |
12,5 |
mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICACIÓN =5A |
- |
11,3 |
16 |
mΩ |
| VGS =1.8V, IDENTIFICACIÓN =2A |
- |
15 |
21 |
mΩ |
| VGS (th) |
Voltaje del umbral de la puerta |
VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA |
0,3 |
0,5 |
1 |
V |
| gfs |
Transconductancia delantera |
VDS =5V, IDENTIFICACIÓN =10A |
- |
34 |
- |
S |
| IDSS |
Corriente de la salida de la Dren-fuente |
VDS =16V, VGS =0V |
- |
- |
10 |
UA |
| IGSS |
Salida de la Puerta-fuente |
VGS =+8V, VDS =0V |
- |
- |
+100 |
nA |
| Qg |
Carga total de la puerta |
Identificación =10A
VDS =10V VGS =4.5V
|
- |
22 |
35,2 |
nC |
| Qgs |
Carga de la Puerta-fuente |
- |
2,5 |
- |
nC |
| Qgd |
Carga del Puerta-dren (“Miller”) |
- |
7 |
- |
nC |
| TD (encendido) |
Tiempo de retraso de abertura |
VDS =10V |
- |
9 |
- |
ns |
| tr |
Tiempo de subida |
Identificación =1A |
- |
13 |
- |
ns |
| TD (apagado) |
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado |
RG =3.3Ω |
- |
40 |
- |
ns |
| tf |
Tiempo de caída |
VGS =5V |
- |
10 |
- |
ns |
| |
| CISS |
Capacitancia entrada |
VGS =0V
VDS =10V f=1.0MHz
|
- |
1500 |
2400 |
PF |
| Coss |
Capacitancia de salida |
- |
170 |
- |
PF |
| Crss |
Capacitancia reversa de la transferencia |
- |
155 |
- |
PF |
| Rg |
Resistencia de la puerta |
f=1.0MHz |
- |
2 |
4 |
Ω
|
Diodo del Fuente-dren
| Símbolo |
Parámetro |
Condiciones de prueba |
Mínimo. |
Tipo. |
Máximo. |
Unidades |
| VSD |
Remita en el voltaje2 |
ES =2A, VGS =0V |
- |
- |
1,2 |
V |
| trr |
Tiempo de recuperación reversa |
ES =10A, VGS =0V,
dI/dt=100A/µs
|
- |
11 |
- |
ns |
| Qrr |
Carga reversa de la recuperación |
- |
5 |
- |
nC |
Notas:
1. Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
prueba 2.Pulse
3.Surface montó en 1 enel cojín del cobre2 2oz FR4 del tablero, t<> 10s; 165oC/W cuando está montado en el cojín de cobre mínimo.
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