Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Miembro activo
6 Años
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TIP117 transistor de gran intensidad, salida baja del transistor del interruptor

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
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TIP117 transistor de gran intensidad, salida baja del transistor del interruptor

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :TIP117
Type :Semiconductor Triode
Power Mosfet Transistor :TO-220-3L Plastic - Encapsulated
Product ID :TIP117
Feature :High DC Current Gain
Collector Current :-2A
Collector Power Dissipation :2w
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Plástico de TO-220-3L - TRANSISTOR encapsulado de los transistores TIP117 DARLINGTON (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
  •  Alto aumento actual de DC
  •  Voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
  • Complementario a TIP112
 

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base -100 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor -100 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base -5 V
IC Corriente de colector -2 A
PC Disipación de poder del colector 2 W
RθJA Resistencia termal del empalme a ambiente 63 ℃/W
Tj Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura de almacenamiento -55~+150

 

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)

 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC=-1mA, ES DECIR =0 -100     V
voltaje de avería del Colector-emisor V (BR) CEO* IC=-30mA, IB=0 -100     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR =-5MA, IC=0 -5     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB=-100V, ES DECIR =0     -1 mA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE=-50V, IB=0     -2 mA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB=-5V, IC=0     -2 mA

 

Aumento actual de DC

hFE (1) VCE=-4V, IC=-1A 1000   12000  
  hFE (2) VCE=-4V, IC=-2A 500      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=-2A, IB=-8mA     -2,5 V
Voltaje del emisor de base VBE VCE=-4V, IC=-2A     -2,8 V
Capacitancia de salida del colector Mazorca VCB=-10V, ES DECIR =0, f=0.1MHz     200 PF

 

 

Dimensiones del esquema del paquete de TO-220-3L

 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 TIPO 0,100 TIPOS
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

TIP117 transistor de gran intensidad, salida baja del transistor del interruptor

 

 


 

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