Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Manufacturer from China
Miembro activo
7 Años
Casa / Productos / Puente rectificador de Schottky /

Defina la capacidad de gran intensidad del diodo MBR2030,35,40,45,50FCT de Schottky del poder

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
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Defina la capacidad de gran intensidad del diodo MBR2030,35,40,45,50FCT de Schottky del poder

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :MBR2030,35,40,45,50FCT
Type :Schottky Barrier Chip
Average rectified output current :20A
Working peak reverse voltage :30-60V
Power dissipation :2W
Product ID :MBR2030CT, 35CT, 40CT, 45CT, 50CT, 60CT
Tj Junction temperature :125 ℃
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MBR2030,35,40,45,50FCT TO-220F Plástico-encapsulan los diodos


 

CARACTERÍSTICA
 
Microprocesador de la barrera de Schottky
Pérdida de la energía baja, eficacia alta
El anillo de guardia muere construcción para la protección transitoria
Alta capacidad de oleada
Capacidad de gran intensidad y caída de voltaje delantera baja
 
 
MAXIMUMRATINGS (Ta=25℃unlessotherwisenoted)
Defina la capacidad de gran intensidad del diodo MBR2030,35,40,45,50FCT de Schottky del poder
 
ELECTRICALCHARACTERISTICS (Ta=25℃unlessotherwisespecified)
 
Defina la capacidad de gran intensidad del diodo MBR2030,35,40,45,50FCT de Schottky del poder
 
 
Características típicas
Defina la capacidad de gran intensidad del diodo MBR2030,35,40,45,50FCT de Schottky del poder
 
 
 
 
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