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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Manufacturer from China
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RS2A CON RS2M Dual Power Mosfet, Mosfet de alto voltaje 0,002 onzas gramos Grams0.07 de 0,002 onzas 0,07

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Transistor de poder del Mosfet

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Transistores de poder de la extremidad

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Transistor de poder del silicio

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Diodo que cambia dual

 [30]

Mos Field Effect Transistor

 [58]

Mosfet en doble canal

 [20]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [12]

Diodo Zener del poder

 [12]

Puente rectificador de Schottky

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Diodo de rectificador de alto voltaje

 [30]

Triodo del semiconductor

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Estabilizador IC del voltaje

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
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China RS2A CON RS2M Dual Power Mosfet, Mosfet de alto voltaje 0,002 onzas gramos Grams0.07 de 0,002 onzas 0,07 wholesale
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RS2A CON RS2M Dual Power Mosfet, Mosfet de alto voltaje 0,002 onzas gramos Grams0.07 de 0,002 onzas 0,07
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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :RS2A THRU RS2M
Type :Fast Recovery Rectifier Diode
FEATURE :Flammability Classification 94V-0
Mounting Position :Any
Weight :0.002 ounce, 0.07 grams
Product ID :RS2A THRU RS2M
Case :JEDEC DO-41 molded plastic body
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RS2A A TRAVÉS DEL SOPORTE de la SUPERFICIE de RS2M AYUNAN voltaje reverso del RECTIFICADOR de la RECUPERACIÓN - 50 a 1000 voltios de corriente delantera -2,0 amperios


 

CARACTERÍSTICA
El paquete plástico lleva el laboratorio de los suscriptores
Clasificación 94V-0 de la inflamabilidad
Para la superficie usos montados
Salida reversa baja
Alivio de tensión incorporado, ideal para la colocación automatizada
Alta capacidad delantera de la sobretensión
El soldar de alta temperatura garantizado:
250 segundos C/10 en los terminales
Empalme apaciguado vidrio del microprocesador
 
RS2A CON RS2M Dual Power Mosfet, Mosfet de alto voltaje 0,002 onzas gramos Grams0.07 de 0,002 onzas 0,07
 
 
DATOS MECÁNICOS
 
 
Caso: Cuerpo plástico moldeado DO-214AC de JEDEC sobre microprocesador apaciguado
Terminales: Soldadura plateada, solderable por MIL-STD-750,
Método 2026
Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
Posición de montaje: Ningunos
Peso: 0,002 onzas, 0,07 gramos
 
 
GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo contrario. La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo, para la corriente capacitiva de la carga reduce la capacidad normal por el 20%.
RS2A CON RS2M Dual Power Mosfet, Mosfet de alto voltaje 0,002 onzas gramos Grams0.07 de 0,002 onzas 0,07
 
 
 
Nota:
1. Condición reversa IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de la recuperación
2. medido en 1MHz y el voltaje reverso aplicado de C.C. 4.0V
3. Resistencia termal del empalme a ambiente en 0,375" longitud de la ventaja (de 9.5m m), mounte del PWB
 
RS2A CON RS2M Dual Power Mosfet, Mosfet de alto voltaje 0,002 onzas gramos Grams0.07 de 0,002 onzas 0,07
 
 
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