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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Transistor de poder del Mosfet de G40N10 100V, transferencia rápida del transistor del canal N

Categorías de Producto

Transistor de poder del Mosfet

 [236]

Transistores de poder de la extremidad

 [60]

Transistor de poder del silicio

 [38]

Diodo que cambia dual

 [30]

Mos Field Effect Transistor

 [58]

Mosfet en doble canal

 [20]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [12]

Diodo Zener del poder

 [12]

Puente rectificador de Schottky

 [20]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [30]

Triodo del semiconductor

 [18]

Estabilizador IC del voltaje

 [28]
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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China Transistor de poder del Mosfet de G40N10 100V, transferencia rápida del transistor del canal N wholesale
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Transistor de poder del Mosfet de G40N10 100V, transferencia rápida del transistor del canal N
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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :HXY2312
Product name :Mosfet Power Transistor
Junction temperature :150℃
Material :Silicon
Case :Tape/Tray/Reel
Type :mosfet transistor
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MOSFET del modo del aumento del canal N de 18N20X 200V

 

Resumen del producto

 

El 18N20X utiliza tecnología plana avanzada para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga de la puerta y la operación bajas con los voltajes de la puerta tan bajos como 2.5V. Este dispositivo es conveniente para el uso como protección de la batería o en el otro uso de la transferencia.
 
 
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