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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Diodo de transferencia de alta frecuencia BAW56/BAV70/BAV99, diodo ideal dual

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Provincia / Estado:guangdong
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China Diodo de transferencia de alta frecuencia BAW56/BAV70/BAV99, diodo ideal dual wholesale
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Diodo de transferencia de alta frecuencia BAW56/BAV70/BAV99, diodo ideal dual
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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :BAW56/BAV70/BAV99
Product ID :BAW56/BAV70/BAV99
Feature :Fast Switching Speed
Type :Dual Switching Diode
VR :70V
PD :225MW
IF :200MA
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SOT-23 Plástico-encapsulan el DIODO de TRANSFERENCIA de los diodos BAW56/BAV70/BAV99

 

CARACTERÍSTICAS

Ÿ ayunan velocidad de transferencia

Ÿ para los usos de fines generales de la transferencia

Alta conductancia de Ÿ

 

 

 

Grados máximos @Ta=25℃

 

 

Punto sólido = verde que moldea el dispositivo compuesto,

si ninguno, el dispositivo normal

 

 

Parámetro Símbolo Límite Unidad
Voltaje reverso VR 70 V
Corriente delantera SI 200 mA
Sobretensión delantera máxima sin repetición @t=8.3ms IFSM 2,0 A
Disipación de poder Paladio 225 mW
Empalme de la resistencia termal a ambiente RθJA 556 ℃/W
Temperatura de empalme TJ 150 ℃
Gama de temperaturas de almacenamiento TSTG -55~+150 ℃

 

 

Características eléctricas @Ta=25℃

Parámetro Símbolo Minuto Tipo Máximo Unidad Condiciones
Voltaje de avería reverso V R 70     V IR=100μA

 

 

Voltaje delantero

 VF1     0,715 V IF=1mA
VF2     0,855 V IF=10mA
VF3     1 V IF=50mA
VF4     1,25 V IF=150mA
Corriente reversa IR     2,5 μA VR=70V
Capacitancia entre los terminales CT     1,5 PF VR=0, f=1MHz

 

Tiempo de recuperación reversa

 

t r r

    

 

6

 

ns

IF = IR = 10mA,

Irr= 0,1 x IR, RL = 100Ω

 

 

 

Dimensiones del esquema del paquete SOT-23

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
Minuto Máximo Minuto Máximo
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TIPOS 0,037 TIPOS
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 REFERENCIAS 0,022 REFERENCIAS
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ 0° 8° 0° 8°

 

Etiquetas de productos:

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igbt diode

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