Categorías de Producto

Transistor de poder del Mosfet

[236]

Transistores de poder de la extremidad

[60]

Transistor de poder del silicio

[38]

Diodo que cambia dual

[30]

Mos Field Effect Transistor

[58]

Mosfet en doble canal

[20]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

[12]

Diodo Zener del poder

[12]

Puente rectificador de Schottky

[20]

Diodo de rectificador de alto voltaje

[30]

Triodo del semiconductor

[18]

Estabilizador IC del voltaje

[28]

Contacta

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MrDavid Lee

Ver detalles de contacto

Contacta

China Transistor de poder del silicio BAW56/BAV70/BAV9 para la transferencia de fines generales wholesale

BAV9 para la transferencia de fines generales

Name: Transistor de poder del silicio BAW56BAV70BAV9 para la transferencia de fines generales
Brand: Hua Xuan Yang
Price: 1 USD

Preguntar último precio

Place of Origin :ShenZhen China

Brand Name :Hua Xuan Yang

Certification :RoHS、SGS

MOQ :1000-2000 PCS

Price :Negotiated

Packaging Details :Boxed

Delivery Time :1 - 2 Weeks

Payment Terms :L/C T/T Western Union

Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day

Model Number :BAW56/BAV70/BAV9

Type :SWITCHING DIODESOD

Application :General Purpose Switching

Power mosfet transistor :SOD-123 Plastic-EncapsulateDiodes

Storage Temperature :-55～+150℃

Product ID :BAW56/BAV70/BAV9

Peak Pulse Current :2A

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

El DIODO de TRANSFERENCIA BAW56/BAV70/BAV9 SOD-123 Plástico-encapsula los diodos

CARACTERÍSTICA

Velocidad de transferencia rápida

Para los usos de fines generales de la transferencia

TRANSFERENCIA DIODESOD

Marcado

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

ElectricalCharacteristics@Ta =25℃

Characterisitics típico

Dimensiones del esquema del paquete

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	0,900	1,150	0,035	0,045
A1	0,000	0,100	0,000	0,004
A2	0,900	1,050	0,035	0,041
b	0,300	0,500	0,012	0,020
c	0,080	0,150	0,003	0,006
D	2,800	3,000	0,110	0,118
E	1,200	1,400	0,047	0,055
E1	2,250	2,550	0,089	0,100
e	0,950 TIPOS		0,037 TIPOS
e1	1,800	2,000	0,071	0,079
L	0,550 REFERENCIAS		0,022 REFERENCIAS
L1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

Transistor de poder del silicio BAW56/BAV70/BAV9 para la transferencia de fines generales

Transistor de poder del Mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo que cambia dual

Mos Field Effect Transistor

Mosfet en doble canal

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo Zener del poder

Puente rectificador de Schottky

Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

Transistor de poder del silicio BAW56/BAV70/BAV9 para la transferencia de fines generales

Marcado

igbt switching circuit

power mosfet ic

mosfet power transistor com