Productos proveedores Sign in Register

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Miembro activo
6 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitud de una cuota
Español
Casa / Productos / Transistor de poder del silicio /

Transistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuencia

Categorías de Producto

Transistor de poder del Mosfet

 [236]

Transistores de poder de la extremidad

 [60]

Transistor de poder del silicio

 [38]

Diodo que cambia dual

 [30]

Mos Field Effect Transistor

 [58]

Mosfet en doble canal

 [20]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [12]

Diodo Zener del poder

 [12]

Puente rectificador de Schottky

 [20]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [30]

Triodo del semiconductor

 [18]

Estabilizador IC del voltaje

 [28]
Contacta
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
Ver detalles de contacto
Contacta
China Transistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuencia wholesale
  • China Transistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuencia wholesale

Transistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuencia
Preguntar último precio
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :BAV19W~BAV21W
Type :SWITCHING DIODESOD
FEATURE :Fast Switching Speed
Power mosfet transistor :SOD-123 Plastic-EncapsulateDiodes
Storage Temperature :-55～+150℃
Product ID :BAV19W~BAV21W
Peak Pulse Current :2A
more
Contacta

Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

BAV19W~BAV21W SWITCHINGDIODESOD-123 SOD-123Plastic-EncapsulateDiodes


 

CARACTERÍSTICA
 
Corriente reversa baja
Paquete superficial del soporte adecuado idealmente para la inserción automática
Velocidad de transferencia rápida 
Para los usos de fines generales de la transferencia

Marcado 

 

Los cates del barindi de la marca el cátodo 

El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea,

ifnone, dispositivo thenormal.

Transistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuencia

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 

 Transistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuencia
 
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)
 

 
Transistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuencia


 
 
 
Characterisitics típico  
 Transistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuenciaTransistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuencia
 




 
 
 
 
 
 
 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TIPOS 0,037 TIPOS
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 REFERENCIAS 0,022 REFERENCIAS
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ 0° 8° 0° 8°

 
 



 
 
 
 

Etiquetas de productos:

igbt amplifier

hf transistor

transistor hf
Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4