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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Rendimiento de alta velocidad del transistor de transferencia de MMBT4403 NPN alto 

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China Rendimiento de alta velocidad del transistor de transferencia de MMBT4403 NPN alto  wholesale
  • China Rendimiento de alta velocidad del transistor de transferencia de MMBT4403 NPN alto  wholesale

Rendimiento de alta velocidad del transistor de transferencia de MMBT4403 NPN alto 
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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :MMBT4403
FEATURE :Low Leakage
Power mosfet transistor :SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
Product ID :MMBT4403
Type :Switching Diodesod
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SOT-23 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores MMBT4403 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

 Transistor de transferencia

Marcado: 2T

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base -40 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor -40 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base -5 V
IC Corriente de colector -600 mA
PC Disipación de poder del colector 300 mW
RΘJA Resistencia termal del empalme a ambiente 417 ℃/W
Tj Temperatura de empalme 150 ℃
Tstg Temperatura de almacenamiento -55~+150 ℃

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)

 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC=-100μA, ES DECIR =0 -40     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC=-1mA, IB=0 -40     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR =-100ΜA, IC=0 -5     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB=-35V, ES DECIR =0     -0,1 μA
Corriente de atajo de colector ICEX VCE=-35V, VBE=0.4V     -0,1 μA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB=-4V, IC=0     -0,1 μA

 

 

 

Aumento actual de DC

 hFE1 VCE=-1V, IC=-0.1mA 30      
  hFE2 VCE=-1V, IC=-1mA 60      
  hFE3 VCE=-1V, IC=-10mA 100      
  hFE4 VCE=-2V, IC=-150mA 100   300  
  hFE5 VCE=-2V, IC=-500mA 20      

 

voltaje de saturación del Colector-emisor

 

VCE (sentado)

 IC=-150mA, IB=-15mA     -0,4 V
    IC=-500mA, IB=-50mA     -0,75 V

 

Voltaje de saturación del emisor de base

 

VBE (sentado)

 IC=-150mA, IB=-15mA     -0,95 V
    IC=-500mA, IB=-50mA     -1,3 V
Frecuencia de la transición fT VCE=-10V, IC=-20mA, f =100MHz 200     Megaciclo
Tiempo de retraso td

VCC=-30V, VBE (apagado) =-0.5V

IC=-150mA, IB1=-15mA

     15 ns
Tiempo de subida tr       20 ns
Tiempo de almacenamiento ts

VCC=-30V, IC=-150mA

IB1=IB2=-15mA

     225 ns
Tiempo de caída tf       60 ns

 
 
 
 
 
Characterisitics típico  
 Rendimiento de alta velocidad del transistor de transferencia de MMBT4403 NPN alto 

Rendimiento de alta velocidad del transistor de transferencia de MMBT4403 NPN alto 

Rendimiento de alta velocidad del transistor de transferencia de MMBT4403 NPN alto 
 

 

 

 

 
 
 
 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TIPOS 0,037 TIPOS
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 REFERENCIAS 0,022 REFERENCIAS
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ 0° 8° 0° 8°

 
 
 
 
 
 

Etiquetas de productos:

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