Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	400	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	400	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	6	V
I_C	Corriente de colector - continua	200	mA
ICM	Corriente de colector - pulsada	300	mA
P_C	Disipación de poder del colector	500	mW
RθJA	Resistencia termal del empalme a ambiente	250	℃/W
T_j	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55~+150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)

Parámetro	Símbolo	Condiciones de T est	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C=100ΜA, ES DECIR =0	400			V
voltaje de avería del Colector-emisor	V (BR) CEO*	I_C=1mA, I_B=0	400			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	ES DECIR =10ΜA, I_C=0	6			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB=400V, ES DECIR =0			0,1	µA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB=4V, I_C=0			0,1	µA
Aumento actual de DC	hFE (1)*	V_CE=10V, I_C=1mA	40
	hFE (2)*	V_CE=10V, I_C=10mA	50		200
	hFE (3)*	V_CE=10V, I_C=50mA	45
	hFE (4)*	V_CE=10V, I_C=100mA	40
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado) *	I_C=1mA, I_B=0.1mA			0,4	V
		I_C=10mA, I_B=1mA			0,5	V
		I_C=50mA, I_B=5mA			0,75	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado) *	I_C=10mA, I_B=1mA			0,75	V
Capacitancia de salida del colector	Mazorca	V_CB=20V, ES DECIR =0, f=1MHz			7	PF
Capacitancia de la entrada del emisor	Cib	V_BE=0.5V, I_C=0, f=1MHz			130	PF

Características típicas

Dimensiones del esquema del paquete

Disposición sugerida SOT-89-3L del cojín

Cinta y carrete de SOT-89-3L

Etiquetas de productos:

2sa1535 pnp power transistor

power transistor 2n3055

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