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MMBTA56 NPN Darlington Power Transistor, transistor que cambia rápido NPN

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Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MrDavid Lee

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China MMBTA56 NPN Darlington Power Transistor, transistor que cambia rápido NPN wholesale

China MMBTA56 NPN Darlington Power Transistor, transistor que cambia rápido NPN wholesale

MMBTA56 NPN Darlington Power Transistor, transistor que cambia rápido NPN

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Place of Origin :ShenZhen China

Brand Name :Hua Xuan Yang

Certification :RoHS、SGS

MOQ :1000-2000 PCS

Price :Negotiated

Packaging Details :Boxed

Delivery Time :1 - 2 Weeks

Payment Terms :L/C T/T Western Union

Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day

Model Number :MMBTA56

Junction Temperature :150 ℃

Collector Power Dissipation :225mW

FEATURE :General Purpose Amplifier Applications

Material :Silicon

Collector Current :600 mA

Storage Temperature :-55～+150℃

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SOT-23 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores MMBTA56 (NPN)

CARACTERÍSTICA

l usos de fines generales del amplificador

Marcado: 2GM

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	-80	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	-80	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	-4	V
IC	Corriente de colector	-500	mA
PC	Disipación de poder del colector	225	mW
RΘJA	Resistencia termal del empalme a ambiente	555	℃/W
Tj	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55~+150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	IC=-100ΜA, IE=0	-80			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) CEO V	IC=-1mA, IB=0	-80			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	IE=-100ΜA, IC=0	-4			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	VCB=-80V, IE=0			-0,1	µA
Corriente de atajo de colector	ICEO	VCE=-60V, IB=0			-1	µA
voltaje de avería de la Emisor-base	IEBO	VEB=-4V, IC=0			-0,1	µA
Aumento actual de DC	hFE (1)	VCE=-1V, IC=-10mA	100		400
	hFE (2)	VCE=-1V, IC=-100mA	100
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado)	IC=-100mA, IB=-10mA			-0,25	V
Voltaje del emisor de base	VBE	VCE=-1V, IC=-100mA			-1,2	V
Frecuencia de la transición	pie	VCE=-1V, IC=-100mA, f=100MHz	50			Megaciclo

Dimensiones del esquema del paquete

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	0,900	1,150	0,035	0,045
A1	0,000	0,100	0,000	0,004
A2	0,900	1,050	0,035	0,041
b	0,300	0,500	0,012	0,020
c	0,080	0,150	0,003	0,006
D	2,800	3,000	0,110	0,118
E	1,200	1,400	0,047	0,055
E1	2,250	2,550	0,089	0,100
e	0,950 TIPOS		0,037 TIPOS
e1	1,800	2,000	0,071	0,079
L	0,550 REFERENCIAS		0,022 REFERENCIAS
L1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

Características típicas

Etiquetas de productos:

darlington npn power transistor

updated power transistor npn

2a npn transistor

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