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Voltaje bajo -5V NPN de transferencia de B772 del emisor de alto voltaje del transistor

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Estabilizador IC del voltaje

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MrDavid Lee

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China Voltaje bajo -5V NPN de transferencia de B772 del emisor de alto voltaje del transistor wholesale

China Voltaje bajo -5V NPN de transferencia de B772 del emisor de alto voltaje del transistor wholesale

Voltaje bajo -5V NPN de transferencia de B772 del emisor de alto voltaje del transistor

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Place of Origin :ShenZhen China

Brand Name :Hua Xuan Yang

Certification :RoHS、SGS

MOQ :1000-2000 PCS

Price :Negotiated

Packaging Details :Boxed

Delivery Time :1 - 2 Weeks

Payment Terms :L/C T/T Western Union

Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day

Model Number :B772

Collector-Base Voltage :-40v

Junction Temperature :150 ℃

Emitter-Base Voltage :-5V

Application :mobile power supply/ led driver/motor control

Storage Temperature :-55~150 ℃

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SOT-89-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores B772 (NPN)

CARACTERÍSTICA

Transferencia de poca velocidad

Marcado: B772

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	-40	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	-30	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	-6	V
I_C	Corriente de colector - continua	-3	A
P_C	Disipación de poder del colector	0,5	W
RӨJA	Resistencia termal, empalme a ambiente	250	℃/W
T_j	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55~150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C=-100μA, ES DECIR =0	-40			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) CEO V	I_C= -10MA, I_B=0	-30			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	ES DECIR = -100ΜA, I_C=0	-6			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB= -40V, ES DECIR =0			-1	μA
Corriente de atajo de colector	ICEO	V_CE=-30V, I_B=0			-10	μA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB=-6V, I_C=0			-1	μA
Aumento actual de DC	hFE	V_CE= -2V, I_C= -1A	60		400
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado)	I_C=-2A, I_B= -0.2A			-0,5	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado)	I_C=-2A, I_B= -0.2A			-1,5	V
Frecuencia de la transición	f_T	V_CE= -5V, I_C=-0.1A f =10MHz	50			Megaciclo

Características típicas

Dimensiones del esquema del paquete

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	1,400	1,600	0,055	0,063
b	0,320	0,520	0,013	0,020
b1	0,400	0,580	0,016	0,023
c	0,350	0,440	0,014	0,017
D	4,400	4,600	0,173	0,181
D1	1,550 REFERENCIA.		0,061 REFERENCIAS.
E	2,300	2,600	0,091	0,102
E1	3,940	4,250	0,155	0,167
e	1,500 TIPO.		0,060 TIPOS.
e1	3,000 TIPO.		0,118 TIPOS.
L	0,900	1,200	0,035	0,047

CLASIFICACIÓN DEL_FEde h

Fila	R	O	Y	GR
Gama	60-120	100-200	160-320	200-400

Características típicas

Etiquetas de productos:

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