Casa / Productos / Transistor de poder del silicio /

Corriente de colector material del silicio del transistor de poder del silicio 2SD965A 600 mA

Categorías de Producto

Transistor de poder del Mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo que cambia dual

Mos Field Effect Transistor

Mosfet en doble canal

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo Zener del poder

Puente rectificador de Schottky

Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

Contacta

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MrDavid Lee

Ver detalles de contacto

Contacta

China Corriente de colector material del silicio del transistor de poder del silicio 2SD965A 600 mA wholesale

China Corriente de colector material del silicio del transistor de poder del silicio 2SD965A 600 mA wholesale

Corriente de colector material del silicio del transistor de poder del silicio 2SD965A 600 mA

Preguntar último precio

Place of Origin :ShenZhen China

Brand Name :Hua Xuan Yang

Certification :RoHS、SGS

MOQ :1000-2000 PCS

Price :Negotiated

Packaging Details :Boxed

Delivery Time :1 - 2 Weeks

Payment Terms :L/C T/T Western Union

Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day

Model Number :2SD965A

Collector-Base Voltage :40V

Collector Current -Continuous :5A

Tstg :-55～+150℃

Material :Silicon

Collector Current :600 mA

Storage Temperature :-55～+150℃

more

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

SOT-89-3L Plástico-encapsulan los transistores 2SD965A 2SD965A

CARACTERÍSTICA

Amplificador audio
Unidad de destello de cámara
Circuito de la transferencia

Marcado: D965A

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	-60	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	-60	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	-4	V
IC	Corriente de colector	-500	mA
PC	Disipación de poder del colector	225	mW
RΘJA	Resistencia termal del empalme a ambiente	556	℃/W
Tj	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55~+150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C=0.1mA, ES DECIR =0	40			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) CEO V	I_C= 1mA. I_B=0	30			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	ES DECIR = 10μA, I_C=0	7			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB= 10V, ES DECIR =0			0,1	μA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB=7V, I_C=0			0,1	μA
Aumento actual de DC	hFE (1)	V_CE= 2 V, I_C=1mA		200
	hFE (2)	V_CE= 2V, I_C = 500mA	230		800
	hFE (3)	V_CE= 2V, I_C =2A	150
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado)	I_C=3A, I_B=0.1A			1	V
Frecuencia de la transición	f_T	V_CE=6V, I_C=50mA		150		Megaciclo
Hacia fuera capacitancia	Mazorca	V_CB=20 V, ES DECIR =0, f=1MH_Z			50	PF

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎

Fila	Q	R	S
Gama	230-380	340-600	560-800

Dimensiones del esquema del paquete

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	0,900	1,150	0,035	0,045
A1	0,000	0,100	0,000	0,004
A2	0,900	1,050	0,035	0,041
b	0,300	0,500	0,012	0,020
c	0,080	0,150	0,003	0,006
D	2,800	3,000	0,110	0,118
E	1,200	1,400	0,047	0,055
E1	2,250	2,550	0,089	0,100
e	0,950 TIPOS		0,037 TIPOS
e1	1,800	2,000	0,071	0,079
L	0,550 REFERENCIAS		0,022 REFERENCIAS
L1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

Cinta y carrete de SOT-89-3L

Etiquetas de productos:

silicon power ssd

igbt semiconductor

smd power mosfet

Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4