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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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2N5401 transistor VCBO -160V del poder más elevado PNP para los componentes electrónicos

Categorías de Producto

Transistor de poder del Mosfet

 [236]

Transistores de poder de la extremidad

 [60]

Transistor de poder del silicio

 [38]

Diodo que cambia dual

 [30]

Mos Field Effect Transistor

 [58]

Mosfet en doble canal

 [20]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [12]

Diodo Zener del poder

 [12]

Puente rectificador de Schottky

 [20]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [30]

Triodo del semiconductor

 [18]

Estabilizador IC del voltaje

 [28]
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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China 2N5401 transistor VCBO -160V del poder más elevado PNP para los componentes electrónicos wholesale
  • China 2N5401 transistor VCBO -160V del poder más elevado PNP para los componentes electrónicos wholesale

2N5401 transistor VCBO -160V del poder más elevado PNP para los componentes electrónicos
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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :2N5401
VCBO :-160V
VCEO :-150V
VEBO :-5V
Usage :Electronic Components
Tj :150Š
Case :Tape/Tray/Reel
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TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 2N5401 (PNP)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

 

Transferencia y amplificación de Ÿ en alto voltaje

Usos de Ÿ tales como telefonía

Ÿ de poca intensidad

Alto voltaje de Ÿ

 

 

2N5401 transistor VCBO -160V del poder más elevado PNP para los componentes electrónicos

 

 

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte Paquete Método del embalaje Cantidad del paquete
2N5401 TO-92 Bulto 1000pcs/Bag
2N5401-TA TO-92 Cinta 2000pcs/Box

 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base -160 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor -150 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base -5 V
IC Corriente de colector -0,6 A
PC Disipación de poder del colector 625 mW
R0 JA Resistencia termal del empalme a ambiente 200 Š/W
Tj Temperatura de empalme 150 Š
Tstg Temperatura de almacenamiento -55~+150 Š

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

 

 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC= -0.1MA, ES DECIR =0 -160     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC=-1mA, IB=0 -150     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR =-0.01MA, IC=0 -5     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB=-120V, ES DECIR =0     -50 nA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB=-3V, IC=0     -50 nA

 

Aumento actual de DC

 hFE (1) VCE=-5V, IC=-1mA 80      
hFE (2) VCE=-5V, IC=-10mA 100   300  
hFE (3) VCE=-5V, IC=-50mA 50      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=-50mA, IB=-5mA     -0,5 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (sentado) IC=-50mA, IB=-5mA     -1 V
Frecuencia de la transición fT VCE=-5V, IC=-10mA, f =30MHz 100   300 Megaciclo

 
  

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

FILA A B C
GAMA 100-150 150-200 200-300

 

 

 

 

Características típicas

 

 


2N5401 transistor VCBO -160V del poder más elevado PNP para los componentes electrónicos 

2N5401 transistor VCBO -160V del poder más elevado PNP para los componentes electrónicos

2N5401 transistor VCBO -160V del poder más elevado PNP para los componentes electrónicos

2N5401 transistor VCBO -160V del poder más elevado PNP para los componentes electrónicos

 


 
 

 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 


TO-92 7DSH DQG 5HHO

 

 2N5401 transistor VCBO -160V del poder más elevado PNP para los componentes electrónicos

2N5401 transistor VCBO -160V del poder más elevado PNP para los componentes electrónicos
 




 
 

Etiquetas de productos:

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