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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Transistores encapsulados plásticos del transistor de poder del silicio de MMBTA55 NPN SOT-23

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 [236]

Transistores de poder de la extremidad

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 [30]

Mos Field Effect Transistor

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Diodo Zener del poder

 [12]

Puente rectificador de Schottky

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Diodo de rectificador de alto voltaje

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Triodo del semiconductor

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Estabilizador IC del voltaje

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China Transistores encapsulados plásticos del transistor de poder del silicio de MMBTA55 NPN SOT-23 wholesale
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Transistores encapsulados plásticos del transistor de poder del silicio de MMBTA55 NPN SOT-23
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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :MMBTA55
Junction Temperature :150 ℃
Type :Triode Transistor
Application :mobile power supply/ led driver/motor control
Material :Silicon
Collector Current :600 mA
Storage Temperature :-55～+150℃
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SOT-23 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores MMBTA55 (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

l transistores de conductor

 

Marcado: 2H

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base -60 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor -60 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base -4 V
IC Corriente de colector -500 mA
PC Disipación de poder del colector 225 mW
RΘJA Resistencia termal del empalme a ambiente 556 ℃/W
Tj Temperatura de empalme 150 ℃
Tstg Temperatura de almacenamiento -55~+150 ℃

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)
 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC=-100ΜA, IE=0 -60     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC=-1mA, IB=0 -60     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO IE=-100ΜA, IC=0 -4     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB=-60V, IE=0     -0,1 µA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE=-60V, IB=0     -0,1 µA
Aumento actual de DC hFE (1) VCE=-1V, IC=-10mA 100   400  
  hFE (2) VCE=-1V, IC=-100mA 100      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=-100mA, IB=-10mA     -0,25 V
Voltaje del emisor de base VBE VCE=-1V, IC=-100mA     -1,2 V
Frecuencia de la transición pie VCE=-1V, IC=-100mA, f=100MHz 50     Megaciclo

 
 
 

 

 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TIPOS 0,037 TIPOS
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 REFERENCIAS 0,022 REFERENCIAS
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ 0° 8° 0° 8°

 
 
Transistores encapsulados plásticos del transistor de poder del silicio de MMBTA55 NPN SOT-23
Transistores encapsulados plásticos del transistor de poder del silicio de MMBTA55 NPN SOT-23
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