Name: Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN
Brand: Hua Xuan Yang
Price: 1 USD

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Place of Origin :ShenZhen China

Brand Name :Hua Xuan Yang

Certification :RoHS、SGS

MOQ :1000-2000 PCS

Price :Negotiated

Packaging Details :Boxed

Delivery Time :1 - 2 Weeks

Payment Terms :L/C T/T Western Union

Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day

Model Number :MJE13003

Type :Triode Transistor

Material :Silicon

Power mosfet transistor :TO-126 Plastic-Encapsulate

Product name :semiconductor triode type

Tj :150℃

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TO-126 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores MJE13003 (NPN)

CARACTERÍSTICA

Usos de la transferencia del poder de Ÿ

MARCADO

Código de MJE13003=Device

Punto sólido = verde que moldea el dispositivo compuesto, si ninguno, el dispositivo normal

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte	Paquete	Método del embalaje	Cantidad del paquete
MJE13003	TO-126	Bulto	200pcs/Bag
MJE13003-TU	TO-126	Tubo	60pcs/Tube

GRADOS MÁXIMOS (T_un =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Colector - voltaje bajo	600	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	420	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	7	V
I_C	Corriente de colector - continua	0,2	A
P_C	Disipación de poder del colector	0,75	W
T_J	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55 ~150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C= 0.1mA, ES DECIR =0	600			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) CEO V	I_C= 1mA, I_B=0	400			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	ES DECIR =0.1MA, I_C=0	6			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB=600V, ES DECIR =0			100	UA
Corriente de atajo de colector	ICEO	V_CE=400V, I_B=0			100	UA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB=7V, I_C=0			10	UA
Aumento actual de DC	hFE (1)*	V_CE=10V, I_C=200mA	20		30
Aumento actual de DC	hFE (2)	V_CE=10V, I_C=250μA	5
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado) 1	I_C=200mA, I_B=40mA			0,5	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado)	I_C=200mA, I_B=40mA			1,1	V
Frecuencia de la transición	f_T	V_CE=10V, I_C=100mA, f=1MHz	5			Megaciclo
Tiempo de caída	t_f	I_C=100mA			0,5	μs
Tiempo de almacenamiento	tS*	I_C=100mA	2		4	μs

Dimensiones del esquema del paquete TO-92

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	2,500	2,900	0,098	0,114
A1	1,100	1,500	0,043	0,059
b	0,660	0,860	0,026	0,034
b1	1,170	1,370	0,046	0,054
c	0,450	0,600	0,018	0,024
D	7,400	7,800	0,291	0,307
E	10,600	11,000	0,417	0,433
e	2,290 TIPO		0,090 TIPOS
e1	4,480	4,680	0,176	0,184
h	0,000	0,300	0,000	0,012
L	15,300	15,700	0,602	0,618
L1	2,100	2,300	0,083	0,091
P	3,900	4,100	0,154	0,161
Φ	3,000	3,200	0,118	0,126

Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

Transistor de poder del Mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo que cambia dual

Mos Field Effect Transistor

Mosfet en doble canal

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo Zener del poder

Puente rectificador de Schottky

Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

titanium mmo anodes

sot223 mosfet

u type mosi2 heating element