Name: transistores de poder de la extremidad de 125W NPN D882 TO2513L plásticos transistores encapsulados
Brand: Hua Xuan Yang
Price: 1 USD

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Place of Origin :ShenZhen China

Brand Name :Hua Xuan Yang

Certification :RoHS、SGS

MOQ :1000-2000 PCS

Price :Negotiated

Packaging Details :Boxed

Delivery Time :1 - 2 Weeks

Payment Terms :L/C T/T Western Union

Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day

Model Number :D882

PC :1.25W

Junction Temperature :150 ℃

Storage Temperature :-55-150℃

Power mosfet transistor :TO-251-3L Plastic-Encapsulate

Material :Silicon

Type :Triode Transistor

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TO-251-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D882 (NPN)

CARACTERÍSTICA

Disipación de poder

GRADOS MÁXIMOS (T_un =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	40	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	30	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	6	V
I_C	Corriente de colector - continua	3	A
P_C	Disipación de poder del colector	1,25	W
T_J	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55-150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) _CBO	I_C = 100μA, ES DECIR =0	40			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) _CEO V	I_C = 10mA, I_B=0	30			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) _EBO	ES DECIR = 100μA, I_C=0	6			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB= 40 V, ES DECIR =0			1	µA
Corriente de atajo de colector	ICEO	V_CE= 30 V, I_B=0			10	µA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB= 6 V, I_C=0			1	µA
Aumento actual de DC	hFE	V_CE= 2 V, I_C= 1A	60		400
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado)	I_C= 2A, I_B= 0,2 A			0,5	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado)	I_C= 2A, I_B= 0,2 A			1,5	V
Frecuencia de la transición	f_T	V_CE= 5V, I_C=0.1A f =10MHz		90		Megaciclo