Name: Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte superficial de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta 55150
Brand: Hua Xuan Yang
Price: 1 USD

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Place of Origin :ShenZhen China

Brand Name :Hua Xuan Yang

Certification :RoHS、SGS

MOQ :1000-2000 PCS

Price :Negotiated

Packaging Details :Boxed

Delivery Time :1 - 2 Weeks

Payment Terms :L/C T/T Western Union

Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day

Model Number :B772

Collector Current -Continuous :3A

VCEO :30V

VCBO :40V

Product name :semiconductor triode type

Tj :150℃

Type :Triode Transistor

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TO-126 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D882 (NPN)

CARACTERÍSTICA

Disipación de poder

MARCADO

Código de D882=Device

Punto sólido = verde que moldea el dispositivo compuesto, si ninguno, el dispositivo normal XX=Code

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte	Paquete	Método del embalaje	Cantidad del paquete
D882	TO-126	Bulto	200pcs/Bag
D882-TU	TO-126	Tubo	60pcs/Tube

GRADOS MÁXIMOS (T_un =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	40	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	30	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	6	V
I_C	Corriente de colector - continua	3	A
P_C	Disipación de poder del colector	1,25	W
T_J	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55-150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) _CBO	I_C = 100μA, ES DECIR =0	40			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) _CEO V	I_C = 10mA, I_B=0	30			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) _EBO	ES DECIR = 100μA, I_C=0	6			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB= 40 V, ES DECIR =0			1	µA
Corriente de atajo de colector	ICEO	V_CE= 30 V, I_B=0			10	µA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB= 6 V, I_C=0			1	µA
Aumento actual de DC	hFE	V_CE= 2 V, I_C= 1A	60		400
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado)	I_C= 2A, I_B= 0,2 A			0,5	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado)	I_C= 2A, I_B= 0,2 A			1,5	V
Frecuencia de la transición	f_T	V_CE= 5V, I_C=0.1A f =10MHz		90		Megaciclo

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎

Fila	R	O	Y	GR
Gama	60-120	100-200	160-320	200-400

Características típicas

Dimensiones del esquema del paquete

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	2,500	2,900	0,098	0,114
A1	1,100	1,500	0,043	0,059
b	0,660	0,860	0,026	0,034
b1	1,170	1,370	0,046	0,054
c	0,450	0,600	0,018	0,024
D	7,400	7,800	0,291	0,307
E	10,600	11,000	0,417	0,433
e	2,290 TIPO		0,090 TIPOS
e1	4,480	4,680	0,176	0,184
h	0,000	0,300	0,000	0,012
L	15,300	15,700	0,602	0,618
L1	2,100	2,300	0,083	0,091
P	3,900	4,100	0,154	0,161
Φ	3,000	3,200	0,118	0,126

Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte superficial de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150

Transistor de poder del Mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo que cambia dual

Mos Field Effect Transistor

Mosfet en doble canal

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo Zener del poder

Puente rectificador de Schottky

Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte superficial de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎

electronic ic datasheet

mosfet datasheet

datasheet mosfet

Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte superficial de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150

Transistor de poder del Mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo que cambia dual

Mos Field Effect Transistor

Mosfet en doble canal

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo Zener del poder

Puente rectificador de Schottky

Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte superficial de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

electronic ic datasheet

mosfet datasheet

datasheet mosfet

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎