Name: Tipo del triodo del semiconductor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13005HD55 VCBO 600V
Brand: Hua Xuan Yang
Price: 1 USD

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Place of Origin :ShenZhen China

Brand Name :Hua Xuan Yang

Certification :RoHS、SGS

MOQ :1000-2000 PCS

Price :Negotiated

Packaging Details :Boxed

Delivery Time :1 - 2 Weeks

Payment Terms :L/C T/T Western Union

Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day

Model Number :3DD13005HD55

Collector Power Dissipation :1.5W

Junction Temperature :150 ℃

VCBO :600V

Product name :semiconductor triode type

Collector Current :3.5A

Type :Triode Transistor

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TO-126 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 3DD13005HD55 (NPN)

CARACTERÍSTICA

Usos de la transferencia del poder de Ÿ

Buena temperatura alta de Ÿ

Voltaje de saturación bajo de Ÿ

Transferencia de alta velocidad de Ÿ

MARCADO

Código del logotipo 13005HD55=Device de JCET

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte	Paquete	Método del embalaje	Cantidad del paquete
3DD13005HD55	TO-126	Bulto	200pcs/Bag
3DD13005HD55-TU	TO-126	Tubo	60pcs/Tube

GRADOS MÁXIMOS (T_un =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	800	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	450	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	9	V
I_C	Corriente de colector	3,5	A
P_C	Disipación de poder del colector	1,5	W
RθJA	Resistencia termal del empalme a ambiente	83,3	℃/W
T_j	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55~+150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C=1mA, ES DECIR =0	800			V
voltaje de avería del Colector-emisor	V (BR) CEO*	I_C=10mA, I_B=0	450			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	ES DECIR = 1mA, I_C=0	9			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB=700V, ES DECIR =0			100	μA
Corriente de atajo de colector	ICEO	V_CE=450V, I_B=0			100	μA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB=9V, I_C=0			100	μA
Aumento actual de DC	hFE (1) *	V_CE=5V, I_C=1A	10		40
	hFE (2) *	V_CE=5V, I_C=5mA	10
	hFE (3) *	V_CE=5V, I_C=2A	5
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado) 1	I_C=1A, I_B=200mA			0,3	V
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado) 2	I_C=2A, I_B=500mA			0,6	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado) 1	I_C=2A, I_B=500mA			1,2	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado) 2	I_C=500mA, I_B=100mA			1	V
voltaje delantero del Emisor-colector	_ECDE VF	I_C=2A			2	V
Frecuencia de la transición	f_T	V_CE=10V, I_C=500mA	5			Megaciclo
Tiempo de almacenamiento	ts	I_C=250mA (UI9600)			5	µs

Características típicas

Dimensiones del esquema del paquete TO-92

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	2,500	2,900	0,098	0,114
A1	1,100	1,500	0,043	0,059
b	0,660	0,860	0,026	0,034
b1	1,170	1,370	0,046	0,054
c	0,450	0,600	0,018	0,024
D	7,400	7,800	0,291	0,307
E	10,600	11,000	0,417	0,433
e	2,290 TIPO		0,090 TIPOS
e1	4,480	4,680	0,176	0,184
h	0,000	0,300	0,000	0,012
L	15,300	15,700	0,602	0,618
L1	2,100	2,300	0,083	0,091
P	3,900	4,100	0,154	0,161
Φ	3,000	3,200	0,118	0,126

Tipo del triodo del semiconductor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13005HD55 VCBO 600V

Transistor de poder del Mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo que cambia dual

Mos Field Effect Transistor

Mosfet en doble canal

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo Zener del poder

Puente rectificador de Schottky

Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

Tipo del triodo del semiconductor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13005HD55 VCBO 600V

common anode 7segment

diode stack sr u620806

2sa1535 pnp power transistor