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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Material del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V

Categorías de Producto

Transistor de poder del Mosfet

 [236]

Transistores de poder de la extremidad

 [60]

Transistor de poder del silicio

 [38]

Diodo que cambia dual

 [30]

Mos Field Effect Transistor

 [58]

Mosfet en doble canal

 [20]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [12]

Diodo Zener del poder

 [12]

Puente rectificador de Schottky

 [20]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [30]

Triodo del semiconductor

 [18]

Estabilizador IC del voltaje

 [28]
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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China Material del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V wholesale
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Material del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V
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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :B772M
VCBO :-40V
VCEO :-30V
Storage Temperature :-55-150℃
Power mosfet transistor :TO-251-3L Plastic-Encapsulate
Material :Silicon
Type :Triode Transistor
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TO-251-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores B772M (PNP)

 

 

CARACTERÍSTICAS

 

Transferencia de poca velocidad

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)
 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base -40 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor -30 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base -6 V
IC Corriente de colector - continua -3 A
PC Disipación de poder del colector 1,25 W
RӨJA Resistencia termal, empalme a ambiente 100 ℃/W
Tj Temperatura de empalme 150 ℃
Tstg Temperatura de almacenamiento -55-150 ℃

 
 
 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC=-100μA, ES DECIR =0 -40     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC= -10MA, IB=0 -30     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR = -100ΜA, IC=0 -6     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB= -40V, ES DECIR =0     -1 μA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE=-30V, IB=0     -10 μA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB=-6V, IC=0     -1 μA
Aumento actual de DC hFE VCE= -2V, IC= -1A 60   400  
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=-2A, IB= -0.2A     -0,5 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (sentado) IC=-2A, IB= -0.2A     -1,5 V

 

Frecuencia de la transición

 pie

VCE= -5V, IC=-0.1A

f =10MHz

 

50

 

80

  

 

Megaciclo

 
  

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

Fila R O Y GR
Gama 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Características típicas

 

 
 Material del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30VMaterial del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30VMaterial del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30VMaterial del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V

 

 

 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
Mínimo. Máximo. Mínimo. Máximo.
A 2,200 2,380 0,087 0,094
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
B 0,800 1,400 0,031 0,055
b 0,710 0,810 0,028 0,032
c 0,460 0,560 0,018 0,022
c1 0,460 0,560 0,018 0,022
D 6,500 6,700 0,256 0,264
D1 5,130 5,460 0,202 0,215
E 6,000 6,200 0,236 0,244
e 2,286 TIPO. 0,090 TIPOS.
e1 4,327 4,727 0,170 0,186
M 1.778REF. 0.070REF.
N 0.762REF. 0.018REF.
L 9,800 10,400 0,386 0,409
L1 2.9REF. 0.114REF.
L2 1,400 1,700 0,055 0,067
V 4,830 REFERENCIA. 0,190 REFERENCIAS.
ĭ 1,100 1,300 0,043 0.0±1

 

 

 

Material del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-251-3L B772M PNP VCEO -30V

 

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