Name: Transistores de poder de la extremidad de MMBT4401 SOT23 rápidamente que cambian el voltaje bajo 6 V del emisor
Brand: Hua Xuan Yang
Price: 1 USD

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Brand Name :Hua Xuan Yang

Certification :RoHS、SGS

Place of Origin :ShenZhen China

Payment Terms :L/C T/T Western Union

MOQ :1000-2000 PCS

Price :Negotiated

Packaging Details :Boxed

Delivery Time :1 - 2 Weeks

Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day

Model Number :MMBT4401

Storage Temperature :-55-150℃

Power mosfet transistor :SOT-23 Tip Power Transistors

Material :Silicon

Type :Triode Transistor

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SOT-23 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores FMMT491 (NPN)

CARACTERÍSTICA

Transistor de transferencia

Marcado: 2X

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	60	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	40	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	6	V
I_C	Corriente de colector	600	mA
P_C	Disipación de poder del colector	300	mW
RΘJA	Resistencia termal del empalme a ambiente	417	℃/W
T_j	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55~+150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C=100μA, ES DECIR =0	60			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) CEO V	I_C=1mA, I_B=0	40			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	ES DECIR =100ΜA, I_C=0	6			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB=50V, ES DECIR =0			0,1	μA
Corriente de atajo de colector	ICEX	VCE=35V, VEB=0.4V			0,1	μA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB=5V, I_C=0			0,1	μA
Aumento actual de DC	hFE1	V_CE=1V, I_C=0.1mA	20
	hFE2	V_CE=1V, I_C=1mA	40
	hFE3	V_CE=1V, I_C=10mA	80
	hFE4	V_CE=1V, I_C=150mA	100		300
	hFE5	V_CE=2V, I_C=500mA	40
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado)	I_C=150mA, I_B=15mA			0,4	V
		I_C=500mA, I_B=50mA			0,75	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado)	I_C=150mA, I_B=15mA			0,95	V
		I_C=500mA, I_B=50mA			1,2	V
Frecuencia de la transición	f_T	V_CE=10V, I_C=20mA, f =100MHz	250			Megaciclo
Tiempo de retraso	t_d	VCC=30V, VBE (apagado) =-2V IC=150mA, IB1=15mA			15	ns
Tiempo de subida	t_r				20	ns
Tiempo de almacenamiento	t_s	VCC=30V, IC=150mA IB1=IB2=15mA			225	ns
Tiempo de caída	t_f				60	ns

Medido bajo condiciones pulsadas, pulso width=300μs, deber el cycle≤2%.

Characterisitics típico

Dimensiones del esquema del paquete

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	0,900	1,150	0,035	0,045
A1	0,000	0,100	0,000	0,004
A2	0,900	1,050	0,035	0,041
b	0,300	0,500	0,012	0,020
c	0,080	0,150	0,003	0,006
D	2,800	3,000	0,110	0,118
E	1,200	1,400	0,047	0,055
E1	2,250	2,550	0,089	0,100
e	0,950 TIPOS		0,037 TIPOS
e1	1,800	2,000	0,071	0,079
L	0,550 REFERENCIAS		0,022 REFERENCIAS
L1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

Transistores de poder de la extremidad de MMBT4401 SOT-23 rápidamente que cambian el voltaje bajo 6 V del emisor

Transistor de poder del Mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo que cambia dual

Mos Field Effect Transistor

Mosfet en doble canal

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo Zener del poder

Puente rectificador de Schottky

Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

Transistores de poder de la extremidad de MMBT4401 SOT-23 rápidamente que cambian el voltaje bajo 6 V del emisor

Marcado: 2X

iridium spark plug k7rti

tip122 transistor equivalent

tip 31 transistor