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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Eficacia alta baja del voltaje 6V del emisor del interruptor del transistor de D882M NPN

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Transistor de poder del Mosfet

 [236]

Transistores de poder de la extremidad

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Transistor de poder del silicio

 [38]

Diodo que cambia dual

 [30]

Mos Field Effect Transistor

 [58]

Mosfet en doble canal

 [20]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [12]

Diodo Zener del poder

 [12]

Puente rectificador de Schottky

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Diodo de rectificador de alto voltaje

 [30]

Triodo del semiconductor

 [18]

Estabilizador IC del voltaje

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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China Eficacia alta baja del voltaje 6V del emisor del interruptor del transistor de D882M NPN wholesale
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Eficacia alta baja del voltaje 6V del emisor del interruptor del transistor de D882M NPN
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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :D882M
Collector-Base VoltageCollector-Base Voltage :40v
Collector-Emitter Voltage :30v
Emitter-Base Voltage :6V
Power mosfet transistor :TO-252-2L Plastic-Encapsulate
Type :semiconductor triode type
Usage :Electronic Components
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TO-252-2L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D882M (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 


Disipación de poder

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)
 

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base 40 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 30 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 6 V
IC Corriente de colector - continua 3 A
PC Disipación de poder del colector 1,25 W
TJ Temperatura de empalme 150 ℃
Tstg Temperatura de almacenamiento -55-150 ℃

 
 
 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC = 100μA, ES DECIR =0 40     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC = 10mA, IB=0 30     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR = 100μA, IC=0 6     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB= 40 V, ES DECIR =0     1 µA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE= 30 V, IB=0     10 µA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB= 6 V, IC=0     1 µA
Aumento actual de DC hFE VCE= 2 V, IC= 1A 60   400  
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC= 2A, IB= 0,2 A     0,5 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (sentado) IC= 2A, IB= 0,2 A     1,5 V

 

Frecuencia de la transición

 

fT

VCE= 5V, IC=0.1A

f =10MHz

  

 

90

  

 

Megaciclo

 
  

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

Fila R O Y GR
Gama 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Características típicas

 

 
 Eficacia alta baja del voltaje 6V del emisor del interruptor del transistor de D882M NPNEficacia alta baja del voltaje 6V del emisor del interruptor del transistor de D882M NPNEficacia alta baja del voltaje 6V del emisor del interruptor del transistor de D882M NPNEficacia alta baja del voltaje 6V del emisor del interruptor del transistor de D882M NPN
 

 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Mínimo. Máximo. Mínimo. Máximo.
A 2,200 2,380 0,087 0,094
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
B 0,800 1,400 0,031 0,055
b 0,710 0,810 0,028 0,032
c 0,460 0,560 0,018 0,022
c1 0,460 0,560 0,018 0,022
D 6,500 6,700 0,256 0,264
D1 5,130 5,460 0,202 0,215
E 6,000 6,200 0,236 0,244
e 2,286 TIPO. 0,090 TIPOS.
e1 4,327 4,727 0,170 0,186
M 1.778REF. 0.070REF.
N 0.762REF. 0.018REF.
L 9,800 10,400 0,386 0,409
L1 2.9REF. 0.114REF.
L2 1,400 1,700 0,055 0,067
V 4,830 REFERENCIA. 0,190 REFERENCIAS.
ĭ 1,100 1,300 0,043 0.0±1

 
 

 
 

Etiquetas de productos:

updated power transistor npn

high power npn transistor

high voltage transistor switch
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