Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Miembro activo
6 Años
Casa / Productos / Transistores de poder de la extremidad /

Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772

Contacta
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
Contacta

Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772

Preguntar último precio
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :B772
Power Dissipation :1.5W
FEATURES :Low Collector-emitter Saturation Voltage
Collector Dissipation :1.25W
Usage :Electronic Components
Collector-Base Voltage :40V
Case :Tape/Tray/Reel
more
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

SOT-89-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores B772 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

 

Transferencia de poca velocidad

 

 

 

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base -40 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor -30 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base -6 V
IC Corriente de colector - continua -3 A
PC Disipación del colector 1,25 W
RӨJA Resistencia termal del empalme a ambiente 100 ℃/W
TJ Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura de almacenamiento -55~+150

 

GRADOS de AXIMUM (TA =25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO Ic=-100μA, ES DECIR =0 -40     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC=-10mA, IB=0 -30     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR =-100 μA, IC=0 -6     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB=-40 V, ES DECIR =0     -1 μA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE=-30 V IB=0     -10 μA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB=-6V, IC=0     -1 μA

 

Aumento actual de DC

hFE (1) VCE=-2V, IC=-1A 60   400  
  hFE (2) VCE=-2V, IC=-100mA 32      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=-2A, IB=-0.2A     -0,5 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (sentado) IC=-2A, IB=-0.2A     -1,5 V

 

Frecuencia de la transición

pie

VCE=-5V, IC=-0.1A

f=10MHz

 

50

   

 

Megaciclo

 
  
 

CLASIFICACIÓN del hFE (1)

Fila R O Y GR
Gama 60-120 100-200 160-320

200-400
 

 
 
 
Características típicas
 


Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772

Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772

Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772

Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772
 
 

 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Mínimo. Máximo. Mínimo. Máximo.
A -- 1,800 -- 0,071
A1 0,020 0,100 0,001 0,004
A2 1,500 1,700 0,059 0,067
b 0,660 0,840 0,026 0,033
b1 2,900 3,100 0,114 0,122
c 0,230 0,350 0,009 0,014
D 6,300 6,700 0,248 0,264
E 6,700 7,300 0,264 0,287
E1 3,300 3,700 0,130 0,146
e 2,300 (BSCA) 0,091 (BSCA)
L 0,750 -- 0,030 --
θ 10° 10°

 
Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772
 
 
 Disposición sugerida SOT-89-3L del cojín
 
Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772
 
Cinta y carrete de SOT-89-3L
Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772
Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772
Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772
 
 
 

Carro de la investigación 0