Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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6 Años
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Transistores de poder de la extremidad de TO-92 C945 VEBO 5V NPN de poco ruido

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
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Transistores de poder de la extremidad de TO-92 C945 VEBO 5V NPN de poco ruido

Preguntar último precio
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :C945
VCBO :60V
VCEO :50V
VEBO :5V
Product name :silicon semiconductor triode type
Tj :150℃
Case :Tape/Tray/Reel
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TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores C945 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Linearidades excelentes del hFE de Ÿ

Ÿ de poco ruido

Ÿ complementario a A733

 

 

MARCADO

Código de C945=Device

El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea, si ninguno, el dispositivo normal

Z=Rank del hFE

XXX=Code

 

 

Transistores de poder de la extremidad de TO-92 C945 VEBO 5V NPN de poco ruido

 

 

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte Paquete Método del embalaje Cantidad del paquete
C945 TO-92 Bulto 1000pcs/Bag
C945-TA TO-92 Cinta 2000pcs/Box


 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base 60 V
V CEO Voltaje del Colector-emisor 50 V
V EBO Voltaje de la Emisor-base 5 V
I C Corriente de colector - continua 150 mA
PC Disipación de poder del colector 400 mW
TJ Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura del orage del St -55~+150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario


 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC=1mA, ES DECIR =0 60     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC=100μA, IB=0 50     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR =100 μA, IC=0 5     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB=60V, ES DECIR =0     0,1 μA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE=45V, IB=0     0,1 μA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB=5V, IC=0     0,1 μA

 

Aumento actual de DC

hFE (1) VCE=6V, IC=1mA 70   700  
  hFE (2) VCE=6V, IC=0.1mA 40      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=100mA, IB=10mA     0,3 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (sentado) IC=100mA, IB=10mA     1 V
Frecuencia de la transición fT VCE=6V, IC=10mA, f=30MHz 200     Megaciclo
Capacitancia de salida del colector Mazorca VCB=10V, ES DECIR =0, f=1MHz     3,0 PF

 

Figura de ruido

 

N-F

VCE=6V, IC=0.1mA

RG=10kΩ, f=1MHz

   

 

10

 

DB

 
  

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

Fila O Y GR BL
Gama 70-140 120-240 200-400 350-700

 

 

 

 

Características típicas

 

Transistores de poder de la extremidad de TO-92 C945 VEBO 5V NPN de poco ruido

Transistores de poder de la extremidad de TO-92 C945 VEBO 5V NPN de poco ruido

Transistores de poder de la extremidad de TO-92 C945 VEBO 5V NPN de poco ruido

Transistores de poder de la extremidad de TO-92 C945 VEBO 5V NPN de poco ruido


 
 

 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

Carro de la investigación 0