Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Colector - voltaje bajo	600	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	420	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	7	V
I_C	Corriente de colector - continua	0,2	A
P_C	Disipación de poder del colector	0,75	W
T_J	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55 ~150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C= 100μA, ES DECIR =0	600			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) CEO V	I_C= 1mA, I_B=0	400			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	ES DECIR = 100μA, I_C=0	7			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB= 600V, ES DECIR =0			100	μA
Corriente de atajo de colector	ICEO	V_CE= 400V, I_B=0			200	μA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB=7V, I_C=0			100	μA
Aumento actual de DC	hFE (1)	V_CE= 20V, I_C= 20mA	14		29
	hFE (2)	V_CE= 10V, I_C= 0,25 mA	5
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado)	I_C= 50mA, I_B= 10 mA			0,5	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado)	I_C= 50 mA, I_B= 10mA			1,2	V
Frecuencia de la transición	f_T	V_CE= 20V, I_C=20mA f = 1MHz	8			Megaciclo
Tiempo de caída	t_f	I_C=50mA, I_B1=-IB2=5mA, V_CC=45V			0,3	μs
Tiempo de almacenamiento	t_S				1,5	μs

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎

Gama

14-17

17-20

20-23

23-26

26-29

Dimensiones del esquema del paquete TO-92

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TIPO		0,050 TIPOS
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
Φ		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

Transistores de poder de la extremidad de 3DD13001B NPN TO-92 VCEO encapsulado plástico 420V

Transistor de poder del Mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo que cambia dual

Mos Field Effect Transistor

Mosfet en doble canal

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo Zener del poder

Puente rectificador de Schottky

Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

Transistores de poder de la extremidad de 3DD13001B NPN TO-92 VCEO encapsulado plástico 420V

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎

special 4d transponder chip

pvp k17

pnp mosfet

Transistores de poder de la extremidad de 3DD13001B NPN TO-92 VCEO encapsulado plástico 420V

Transistor de poder del Mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo que cambia dual

Mos Field Effect Transistor

Mosfet en doble canal

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo Zener del poder

Puente rectificador de Schottky

Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

Transistores de poder de la extremidad de 3DD13001B NPN TO-92 VCEO encapsulado plástico 420V

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

special 4d transponder chip

pvp k17

pnp mosfet

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎