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6 Años
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circuito del transistor de 2N3906 NPN, transistor de poder de NPN para la fuente de alimentación móvil

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
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circuito del transistor de 2N3906 NPN, transistor de poder de NPN para la fuente de alimentación móvil

Preguntar último precio
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :2N3906
product name :semiconductor triode type
Application :mobile power supply/ led driver/motor control
Material :Silicon
Emitter-Base Voltage :6V
Case :Tape/Tray/Reel
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SOT-89-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 2N3906 (NPN).

 

 

 

CARACTERÍSTICA

Transistor planar epitaxial del silicio de Ÿ PNP para cambiar y los usos del amplificador

Ÿ como tipo complementario, el transistor 2N3904 de NPN se recomienda

Este transistor de Ÿ está también disponible en el caso SOT-23 con el tipo designación MMBT3906

 

 

circuito del transistor de 2N3906 NPN, transistor de poder de NPN para la fuente de alimentación móvil

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25ć a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base -40 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor -40 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base -5 V
IC Colector Actual-continuo -0,2 A
PC Disipación de poder del colector 0,625 W
TJ Temperatura de empalme 150 ć
Tstg Temperatura de almacenamiento -55~150 ć

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC = -10ΜA, ES DECIR =0 -40     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC =-1MA, IB=0 -40     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR = -10ΜA, IC=0 -5     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB= -40 V, ES DECIR =0     -0,1 µA
Corriente de atajo de colector ICEX VCE= -30 V, VEB(apagado) =-3V     -50 nA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB= -5 V, IC=0     -0,1 µA

 

Aumento actual de DC

hFE1 VCE=-1 V, IC= -10MA 100   400  
  hFE2 VCE=-1 V, IC= -50MA 60      
  hFE3 VCE=-2 V, IC= -100MA 30      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC= -50MA, IB= -5MA     -0,4 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (sentado) IC= -50MA, IB= -5MA     -0,95 V
Frecuencia de la transición fT

VCE=-20V, IC= -10MA

f = 100MHz

250     Megaciclo
Tiempo de retraso TD

VCC=-3V, VBE=-0.5V,

IC=-10mA, IB1=-1mA

    35 ns
Tiempo de subida tr       35 ns
Tiempo de almacenamiento ts

VCC=-3V, Ic=-10mA

IB1=IB2=-1mA

    225 ns
Tiempo de caída tf       75 ns

 

 

 


Características típicas

 

circuito del transistor de 2N3906 NPN, transistor de poder de NPN para la fuente de alimentación móvil

circuito del transistor de 2N3906 NPN, transistor de poder de NPN para la fuente de alimentación móvil

circuito del transistor de 2N3906 NPN, transistor de poder de NPN para la fuente de alimentación móvil

 

 

 
 

 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 
 
 Disposición sugerida SOT-89-3L del cojín
 
circuito del transistor de 2N3906 NPN, transistor de poder de NPN para la fuente de alimentación móvil


Disposición sugerida TO-92 del cojín
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TO-92 7DSH DQG 5HHO

circuito del transistor de 2N3906 NPN, transistor de poder de NPN para la fuente de alimentación móvil

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