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7 Años
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Transistor NPN de los transistores de poder de TO-252Tip 3DD13002

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
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Transistor NPN de los transistores de poder de TO-252Tip 3DD13002

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :3DD13002
Storage Temperature :-55~150℃
TJ :150 ℃
Collector Power Dissipation :1.25w
Product name :semiconductor triode type
Collector Current :3.5A
Type :Triode Transistor
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TO-251-3L/TO-252-2L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 3DD13002 (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

Usos de la transferencia del poder

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Colector - voltaje bajo 600 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 400 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 6 V
IC Corriente de colector - continua 1 A
PC Disipación de poder del colector 1,25 W
TJ Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura de almacenamiento -55~150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario


 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC= 100μA, ES DECIR =0 600     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC= 1mA, IB=0 400     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR = 100μA, IC=0 6     V

 

Corriente de atajo de colector

ICBO VCB= 600V, ES DECIR =0     100 µA
  ICEO VCB= 400V, ES DECIR =0     100 µA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB= 7V, IC=0     100 µA

 

Aumento actual de DC

hFE1 VCE= 10 V, IC= 200mA 9   40  
  hFE2 VCE= 10 V, IC= 0.25mA 5      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=200mA, IB= 40mA     0,5 V
Voltaje de saturación del emisor de base VSEA (sentado) IC=200mA, IB= 40mA     1,1 V

 

Frecuencia de la transición

 

fT

VCE=10V, IC=100mA

f =1MHz

 

5

   

 

Megaciclo

Tiempo de caída tf IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Tiempo de almacenamiento ts       2,5 µs

 

 

CLASIFICACIÓN de hFE1

Gama 9-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 


Características típicas

 

 Transistor NPN de los transistores de poder de TO-252Tip 3DD13002Transistor NPN de los transistores de poder de TO-252Tip 3DD13002Transistor NPN de los transistores de poder de TO-252Tip 3DD13002Transistor NPN de los transistores de poder de TO-252Tip 3DD13002
 

 

Dimensiones del esquema del paquete TO-92

 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Mínimo. Máximo. Mínimo. Máximo.
A 2,200 2,400 0,087 0,094
A1 1,050 1,350 0,042 0,054
B 1,350 1,650 0,053 0,065
b 0,500 0,700 0,020 0,028
b1 0,700 0,900 0,028 0,035
c 0,430 0,580 0,017 0,023
c1 0,430 0,580 0,017 0,023
D 6,350 6,650 0,250 0,262
D1 5,200 5,400 0,205 0,213
E 5,400 5,700 0,213 0,224
e 2,300 TIPO. 0,091 TIPOS.
e1 4,500 4,700 0,177 0,185
L 7,500 7,900 0,295 0,311

 

 

Transistor NPN de los transistores de poder de TO-252Tip 3DD13002

 

 

Carro de la investigación 0